閱讀筆記:Inside NAND Flash Memory. Chapter 2.
2 NAND overview: from memory to systems
2.2 NAND memory
記憶體單元是以矩陣的形式排列的。在NAND string
中,記憶體單元是32個或者64個一組序列連線的,兩個選擇電晶體放在string
的兩個邊緣,以保證source line
(thought MSL)和bitline
之間的連通。NAND string之間共享bitline
,控制門(Control Gate)
通過字線(wordline)
相連。
邏輯頁由同一個字線下的記憶體單元組成,每個字線下的邏輯頁數目取決於記憶體單元的儲存能力。Flash memory可以分為SLC、MLC、TLC、16LC.
如果我們考慮SLC的情況,奇偶單元來自兩個不同的頁。比如說一個4kB page的SLC裝置有一個65536 cells的字線。而在MLC的情況下,由於每個記憶體單元可以儲存兩位,Least Significant Bit (LSB)
Most Significant Bit (MSB)
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