MT6162 RF and Wireless Systems Datasheet

MT6162是一個單晶片，多模式，多波段收發器，提供無與倫比的整合和功能集，從而導致行業最低的EBOM。它完全符合3G模式(3 GPP REL.6)以及支援GSM/GPRS/EDGE模式(GGE)。它與MediaTek的基帶調變解調器積體電路構成了一套完整的用於3G和GGE蜂窩使用者裝置的晶片組解決方案。四波段GGE和廣泛的範圍3G頻段的支援(I-VI，VIII-X)是在頻率範圍和頻寬分配的靈活性方面提供的。

特性：

General

全整合單片射頻收發器
四波段GSM/EDGE操作
多波段(I-VI和VIII-X)3G FDD業務
部分mtk的交鑰匙平臺解決方案，具有最好的級別效能和行業最低的EBOM，由於智慧架構的選擇
符合3GPP HSDPA/HSUPA第6版
射頻損傷的片上校正，數字基帶支援，以達到最佳的trx效能和縮短晶片校準測試時間

Transmitter
低噪聲gmsk/8 psk/3g tx調製器消除外接聲表面波濾波器，直接調頻tx用於gsm模式
專用的tx驅動程式，可以支援多模式多波段PAS的無線電配置
在全TX動態範圍內優秀的3G EVM效能
高動態範圍整合同步功率檢測器，支援超快tx功率控制
來自Vbat的低TX電源電流：典型的48 mA(3G avg. DG09, Band I); 36mA (GMSK DFM)

Receiver
高效能無鋸齒(僅3g)直接轉換接收機，具有差分輸入LNAs
具有優越靈敏度和阻塞邊緣的接收機
來自Vbat的低Rx電源電流：典型的37mA(3G avg. DG09, Band I); 40mA (GSM/EDGE)

Frequency Synthesizers
快速沉降合成器，帶有26MHz內部DCXO或外部VCTCXO基準

作業條件

VCM高達1.25V不會導致標稱矽的效能下降等。對於最壞情況下的矽，在全鏈ACLR中，大約有1dB的退化。

負載電容既可以是共模(對交流接地)，也可以是差動式。該規範是用等效差動負載電容寫成的。在現實中，分裂可以是阿爾比。公共模式和差異模式之間的三位一體，必須考慮這兩種情況。CRX-GND與CRXB-GND的最大差值為1PF.

在絕對最高等級下所列的應力可能會對裝置造成永久性損壞。這只是一個應力等級；在這些或任何其他條件下裝置的功能操作。以上不隱含在本規範的操作部分中。長期接觸絕對最大額定條件可能會影響裝置的可靠性。

引腳配置和功能描述

引腳分配/功能描述

MT6162收發器PIN配置

接收機前端對映

八個獨立的LNA/混頻器/分頻器中的每一個專用於高(VCO除以2)或低(VCO除以4)波段。此外，儘管LNA是相同的，但還是有一些建議因為效能可能受到板/包隔離的限制，所以需要保證。

發射機前端對映

五個獨立的TX輸出驅動器中的每一個專用於高(VCO除以-2)或低(VCO除以-4)波段。此外，兩個輸出(TX_lb_2/TX_HB1)專用於GSM/EDGE模式o。剩下的三個輸出是多模的(MM≡‘3G和GSM/EDGE’)。

電特性

除另有說明外，定義的電氣特性適用於表1、接收器引腳配置#1和發射機引腳配置#1中指定的操作條件。為ABB增益阻止基於特定ABB增益的設定。供電vdd_18的DC-DC變換器被認為具有90%的效率，並且工作於額定電池電壓vbat~3.6v。

典型的規範是為暫存器設定的中頻通道頻率，並推薦操作條件.最小/最大規格適用於極端工作電壓和溫度控制。除非另有說明。

直流電壓調節器

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