計算機組成原理實驗二:RAM實驗
一、實驗專案名稱:RAM實驗
二、實驗目的:
瞭解半導體靜態隨機讀寫儲存器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半導體儲存器的字、位擴充套件技術。
三、實驗內容
◆採用1K x 4 的晶片,構成1K x 8的儲存器。
◆選擇五個不連續的存貯單元地址,分別存入不同內容,作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。
◆採用1K x 4 的晶片,構成2K x 4的儲存器。
◆必須使用譯碼器進行擴充套件(三輸入都用,接開關)。
◆選擇五個不連續的存貯單元地址,分別存入不同內容,作單個存貯器單元的讀/寫操作實驗。
◆選用適當晶片,根據各種控制訊號的極性和時序要求,設計出實驗線路圖。
◆分別設計試驗步驟。
◆使用開關進行資料載入,通過指示燈顯示實驗結果,記錄試驗現象,寫出實驗報告。給出字擴充套件試驗中每片RAM晶片的地址範圍。
四、實驗器材(裝置、元器件):
RAM採用兩片MM2114
隔離部件採用74LS125
譯碼器採用74LS138
備註:為簡化試驗,地址可只用低4位(其餘地址可接地)。
五、實驗資料記錄及結果分析:
基本的實驗方案:
第一部分:採用1K x 4 的晶片,構成1K x 8的儲存器。
設計線路:
字擴充套件的實驗操作:
1.初始化:
將k15(74LS125的C訊號)推至高電平,斷開開關輸入。
將k13(RAM片選訊號)推至低電平,選中RAM。
將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態,以防選地址過程中對沿路資料進行修改。
2.寫入資料:
將k0~k3的四個開關調至想要輸入的地址。
將k4~k11調整至想要的二進位制輸入值。
將k15(74LS125的C訊號)推至低電平,連線開關輸入。
將k14(讀寫控制)推至低電平寫入狀態,寫入資料。
3.讀取資料:
將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態,斷開對RAM的寫入。
將k15(74LS125的C訊號)推至高電平,斷開開關對扽燈泡的影響,讀取資料。
第二部分:採用1K x 4 的晶片,構成2K x 4的儲存器。
設計線路:
位擴充套件的實驗操作:
1.初始化:
將k15(74LS125的C訊號)推至高電平,斷開開關輸入。
將k13(第一塊RAM片選訊號)推至低電平,選中RAM,
同時確保將k12(第二塊RAM片選訊號)推至高電平,使RAM失效。
將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態,以防選地址過程中對沿路資料進行修改。
2.寫入資料:
將k0~k3的四個開關調至想要輸入的地址。
將k4~k7調整至想要的二進位制輸入值。
將k15(74LS125的C訊號)推至低電平,連線開關輸入。
將k14(讀寫控制)推至低電平寫入狀態,寫入資料。
3.讀取資料:
將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態,斷開對RAM的寫入。
將k15(74LS125的C訊號)推至高電平,斷開開關對燈泡的影響,讀取資料。