儲存晶片公司美光科技今日釋出公告稱，從即日起將終止對 3D Xpoint 的所有研發，出售其在猶他州 Lehi 的 3D Xpoint 晶圓廠，同時轉移資源以專注於加速支援其新記憶體產品 Compute Express Link (CXL)的投資。美光這一決定，意味著儲存晶片領域發生大變局。

3D Xpoint 技術是美光與英特爾共同開發的一種非易失性儲存技術，比 NAND 快閃記憶體擁有更高的效能和耐用性，旨在填補 DRAM 和 NAND 快閃記憶體之間的儲存空白。歷經超過 10 年的研發週期，於 2016 年正式推出。

2016 年時，使用 20nm 工藝製程的 3D Xpoint 儲存晶片在猶他州 Lehi 工廠生產，這一工廠也是英特爾與美光於 2006 年開始合作後建設的第一個工廠。

根據 3D Xpoint 誕生時的官方介紹，3D Xpoint 的延遲水平以納秒計算，遠超 NAND 快閃記憶體的微秒級延遲，速度提升高到 1000 倍，儲存密度比 DRAM 提高 10 倍。使得在靠近處理器的位置儲存更多的資料成為可能。

但這一曾經轟動業界的儲存技術，後期發展似乎並不順利。

在兩家的合作中，英特爾主要負責基於 3D Xpoint 技術 Optane 品牌產品的所有商業銷售，具體產品包括 NVMe SSD 和 IMM 尺寸的永久性記憶體模組。美光則用 QuanX 品牌包裝 3D Xpoint 技術，但從未以該品牌發售過任何產品，其第一個也是唯一一個基於 3D Xpoint 的實際產品是 X100 高階企業級 SSD。

美光公司首席商務管蘇米特 · 薩達納在接受路透社採訪時表示，很多客戶對 X100 並不滿意，因為他們必須重寫大部分軟體才能利用新型記憶體，因此該款產品發售數量非常有限。

2018 年，英特爾與美光達成協議，計劃在 3D NAND 快閃記憶體領域分道揚鑣，然後在完成第二代 3D Xpoint 的開發後結束在 3D Xpoint 上的合作，各自開發基於 3D Xpoint 技術的第三代產品。

2019 年，美光購買了英特爾在 Lehi 工廠的股份，併成為該晶圓廠的唯一所有者，由於英特爾無法將其產線快速轉移到中國大連的 Fab 工廠，因此不得不與美光簽署晶圓代工協議在 Lehi 工廠生產，但英特爾的 Optane 產品並不足以充分利用該工廠的產能，美光每年的非 GAAP 運營利潤要因此遭受超過 4 億美元的損失。

如今，美光認識到，將 3D Xpoint 儲存器進一步商業化是不值得，因此決定出售其 3D Xpoint 晶圓廠，計劃在 2021 年內達成銷售協議。美光官方稱，美光現在已確定沒有足夠的市場證明將 3D Xpoint 大規模商業化以解決其客戶不斷髮展的記憶體和儲存需求所需的大量投資是合理的，另外，美光將保留與 3D Xpoint 相關的所有智慧財產權，並於該工廠的多個潛在買家保持聯絡。

去年，英特爾宣佈將其 3D NAND 快閃記憶體部門出售給 SK 海力士，並保留其基於 3D Xpoint 的儲存產品。今年年初又推出新的 Optane 產品，英特爾作為目前唯一能夠研發且專注基於 3D Xpoint 產品的公司，很可能會接手該晶圓廠。

值得注意的是，美光出售其 Lehi 晶圓代工廠正值晶片缺貨嚴重的時期，因此即使需要買家花費大量精力進行改組，該晶圓廠也可能會快速售出。