臺積電 1nm 以下製程取得重大突破,已發表於 Nature
5 月 17 日訊息臺積電今日聯合臺大、麻省理工宣佈,在 1nm 以下晶片方面取得重大進展,研究成果已發表於 Nature。
該研究發現,利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極,可以大幅降低電阻並提高電流,實現接近量子極限的能效,有望挑戰 1nm 以下製程的晶片。
據介紹,該發現是由麻省理工團隊首先發現的,隨後臺積電將“易沉積製程”進行優化,而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至奈米尺寸。
此前報道,IBM 在 5 月初首發了 2nm 工藝晶片,與當前主流的 7nm 晶片相比,IBM 2nm 晶片的效能預計提升 45%,能耗降低 75%。
不過業界人士表示,由於 IBM 沒有先進邏輯製程晶片的晶圓廠,因此其 2nm 工藝無法很快落地,“彎道超車”也比較困難。
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