6 月 10 日訊息 據中國科學院網站，近日，中國科學院上海光學精密機械研究所資訊光學與光電技術實驗室提出一種基於虛擬邊（Virtual Edge）與雙取樣率畫素化掩模圖形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光學鄰近效應修正技術（Optical proximity correction, OPC），模擬結果表明該技術具有較高的修正效率。

據介紹，OPC 技術通過調整掩模圖形的透過率分佈修正光學鄰近效應，從而提高成像質量。基於模型的 OPC 技術是實現 90nm 及以下技術節點積體電路製造的關鍵計算光刻技術之一。

上海光機所科研人員提出的這種基於虛擬邊與雙取樣率畫素化掩模圖形的快速光學鄰近效應修正技術，能夠將不同型別的成像失真歸結為兩種型別的成像異常，即內縮異常與外擴異常。利用不同的成像異常檢測模板，依次在掩模圖形的邊緣和拐角等輪廓偏移判斷位置進行區域性成像異常檢測，確定異常型別及異常區域的範圍。根據異常檢測位置與異常區域範圍，自適應產生虛擬邊。通過移動虛擬邊調整掩模的區域性透過率分佈，從而修正區域性成像異常。藉助修正策略和修正約束，實現高效的區域性修正和全域性輪廓保真度控制。另外，雙取樣率畫素化掩模充分利用了成像系統的衍射受限屬性，在粗取樣網格上進行成像計算與異常檢測，在精采樣網格上進行掩模修正，兼顧了成像計算效率與掩模修正解析度。利用多種掩模圖形進行驗證，模擬結果表明該 OPC 技術的修正效率優於常用的基於啟發式演算法的 OPC 技術。

瞭解到，相關研究成果發表在Optics Express上。

▲基於虛擬邊的成像異常修正，（a）外擴異常修正，（b）內縮異常修正 | 圖源：中國科學院網站