6 月 29 日晚間訊息，據外媒報道，三星宣佈，3nm 製程技術已經正式流片。據介紹，三星的 3nm 製程採用的是 GAA 架構，效能優於臺積電的 3nm FinFET 架構。

報道稱，三星在 3nm 製程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在於加速為 GAA 架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的 3nm 製程採用不同於臺積電或英特爾所採用的 FinFET 的架構，而是採用 GAA 的結構。因此，三星採用了新思科技的 Fusion Design Platform。

在技術性能上，GAA 架構的電晶體能夠提供比 FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力得以強化，藉此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。

此次流片是由 Synopsys 和三星代工廠合作完成的。此前，三星曾在 2020 年完成 3nm 工藝的開發，但開發成功並不意味著，三星的產品最終進入量產的時間可以確定。伴隨著此次成功流片，三星 3nm 晶片大規模量產的時間節點已經正式臨近。