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西數釋出 iNAND MC 系列 UFS 3.1 快閃記憶體:寫入最高 1550MB/s

7 月 2 日訊息西部資料在收購閃迪之後,一直在穩步推進快閃記憶體業務的發展。根據官方訊息,西數上週釋出了 iNAND MC 系列新款 UFS 3.1 快閃記憶體晶片,可用於智慧手機、物聯網裝置等。

該系列產品使用了最先進的 3D NAND 快閃記憶體技術,支援 UFS 3.1 Gear 4/2 通道。產品支援 iNAND SmartSLC Gen 6 加速技術,效能遠超 UFS 2.1 快閃記憶體。官方表示,這款晶片可以實現最高 1550MB/s 的順序寫入速度,明顯超過現有 UFS 3.1 快閃記憶體約 760MB/s 的速度。

獲悉,iNAND MCEU551 型號是該品牌第二代 UFS 3.1 快閃記憶體晶片,具有 Write Booster 技術、Host Performance Booster 2.0 技術,容量覆蓋 128GB-512GB

,工作溫度-25℃到 85℃,封裝大小為 11.5×13×1.0mm。

西部資料表示,該產品特別適用於旗艦 5G 手機、平板電腦等,預計將於今年 7 月開始上市,下半年的手機新品有望搭載。