ASEMI快恢復模組MUR20060CT的發展前景
阿新 • • 發佈:2021-08-23
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眾所周知,當前電子技術的發展方向是:應用技術高頻化、硬體結構模組化、半導體器件智慧化、控制技術數字化、產品效能綠色化(對電網無汙染)。而ASEMI快恢復模組MUR20060CT正是硬體結構模組化的產物,所以MUR20060CT符合未來的發展方向。
MUR20060CT引數描述
型號:MUR20060CT
封裝:MUR-2
特性:快恢復模組
電性引數:200A600V
晶片材質:GPP矽晶片
正向電流(Io):200A
晶片個數:2
正向電壓(VF):1.3V
浪湧電流Ifsm:800A
漏電流(Ir):1mA
恢復時間Trr:110ns
工作溫度:-40~+175℃
引線數量:2
上世紀80年代初,絕緣柵雙極電晶體(IBGT
因為隨著器件開關頻率的提高,如果高頻變頻器件的續流、吸收、鉗位、隔離、輸入整流和輸出整流的開關器件沒有快恢復模組MUR20060CT,那麼IGBT、功率MOSFET和IGCT等高頻開關器件就不能發揮應有的功能和獨特的效果。這是由於