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ASEMI快恢復模組MUR20060CT的發展前景

編輯-Z

眾所周知,當前電子技術的發展方向是:應用技術高頻化、硬體結構模組化、半導體器件智慧化、控制技術數字化、產品效能綠色化(對電網無汙染)。而ASEMI快恢復模組MUR20060CT正是硬體結構模組化的產物,所以MUR20060CT符合未來的發展方向。

MUR20060CT引數描述

型號:MUR20060CT

封裝:MUR-2

特性:快恢復模組

電性引數:200A600V

晶片材質:GPP矽晶片

正向電流(Io)200A

晶片個數:2

正向電壓(VF)1.3V

浪湧電流Ifsm800A

漏電流(Ir)1mA

恢復時間Trr110ns

工作溫度:-40~+175

引線數量:2

上世紀80年代初,絕緣柵雙極電晶體(IBGT

)、功率MOS場效應電晶體和整合門極換流閘流體(IGCT)研製成功,並迅速發展和商業化。這不僅為電力電子變流器向高頻化的發展提供了堅實的器件基礎,同時還提供高頻用電裝置(20KHZ以上)和固態高頻裝置的發展,實現高效、省電、節能、省材,為小型化、輕量化和智慧化提供了重要的技術基礎。與此同時,IGBT、功率MOSFETIGCT等開關器件配套的,不可缺少的快恢復模組MUR20060CT器件也得到了快速發展。

因為隨著器件開關頻率的提高,如果高頻變頻器件的續流、吸收、鉗位、隔離、輸入整流和輸出整流的開關器件沒有快恢復模組MUR20060CT,那麼IGBT、功率MOSFETIGCT等高頻開關器件就不能發揮應有的功能和獨特的效果。這是由於

MUR20060CT的關斷特性引數(反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr和反向峰值電流IRM)的作用導致的。與MUR20060CT配合合適的引數作為續流二極體和高頻開關器件,可以最大限度地減少高頻逆變電路中開關器件換流引起的過電壓尖峰、高頻干擾電壓和EMI干擾。還可降低功耗,充分利用開關器件的功能。