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US1M-ASEMI高效恢復二極體US1M

編輯-Z

US1MSMA封裝裡採用的1個晶片,是一款小電流、貼片高效恢復二極體US1M的浪湧電流Ifsm30A,漏電流(Ir)5uA,其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。US1M採用GPP矽晶片材質,裡面有1顆晶片組成。US1M的電性引數是:正向電流(Io)1A,反向耐壓為1000V,正向電壓(VF)1.7V,其中有2條引線。

US1M引數描述

型號:US1M

封裝:SMA

特性:小電流、貼片

電性引數:1A 1000V

晶片材質:GPP

正向電流(Io)1A

晶片個數:1

正向電壓(VF)1.7V

浪湧電流Ifsm30A

漏電流(Ir)5uA

工作溫度:-55~+150

恢復時間(Trr)

100ns

引線數量:2

US1M小電流、貼片封裝系列。它的本體度為4.6mm加引腳長度為5.28mm,寬度為2.9mm,高度為2.62mm腳寬度為1.6mmUS1M有塑料包裝保證實驗室可燃性,內建應變消除裝置,非常適合自動放置,玻璃鈍化晶片結,快速切換實現高效率,高溫焊接等特點。

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