2.接地問題

與元件放置密切相關的是接地問題。 理想情況下，所有元件都放置在理想的位置，堅固的接地平面具有零阻抗，因此不會干擾任何其他因素，並且不會產生任何影響，並且會對接地返回電流造成EMI威脅。理想情況下，可能需要將敏感元件放置在遠離噪聲元件的地方，地平面具有有限的阻抗。 這是可能需要將接地隔離到一定程度的地方，但是由於隔離產生不需要的天線而存在引起EMI危險的風險。

在晶片內部，模擬和數字域需要相互通訊。 下面的紅色環路是地電流。 這意味著存在從不同接地流入和流出的返回電流。 由於這些接地迴路電流和每個電路之間的連線阻抗，以避免噪聲從數位電路耦合到類比電路。 建議使用不同的接地以避免開關耦合通過地面的噪聲, 即使連線一個小電阻來增加分離也可。

3供電和解耦

由於這些音訊放大器直接連線PVDD供電，因此電源阻抗很高，因為電流消耗很大。 內建有大量保護功能的內部電路，如UVP（欠壓保護），OCP（過流保護），OTP（過溫保護），UVP和OCP都會因電源尖峰而產生錯誤觸發，因此 正確的耗材去耦可能有助於它。

4，PWM Wavform邊緣

D類晶片輸出上升時間的正常PWM約為2nS，邊沿電流的頻率將在200Mhz，此晶片上的電源去耦至關重要，以保持電流回路儘可能小並避免傳播 干擾。 開關瞬態可能非常高，因此我們建議在每個放大器供應引腳旁邊放置陶瓷電容。 由於電流很大，建議每個引腳至少使用1uF + 0.1uF。 需要從VDD到具有相同層的主電容的直接跡線，電容器接地連線應與放大器晶片接地相同。

在更高功率的D類放大器中，通常輸出功率大於10 W，輸出端的濾波器放大器是必需的。 濾波器本質上是無源的，並且每個濾波器都使用電感器和電容器輸出終端。 因此，它被稱為LC濾波器。 選擇適當的LC濾波器元件對於滿足所需的音訊效能，效率，EMC / EMI要求和最終成本至關重要應用。 本應用報告可作為輔助LC濾波器元件部分的指南D類放大器，以滿足終端系統的目標設計目標。一些TI D類音訊放大器在單個器件中支援多種輸出配置。 這允許最終應用程式的高度靈活性。

5散熱問題

由於功率放大器是高電流器件，因此熱量對於那些設計者來說是一個挑戰。在D類音訊放大器中，PWM開關頻率主要影響MOSFET損耗和電感器損耗。 採用大電感降低PWM開關頻率，提高散熱效能。在大輸出情況下，LC濾波器可以實現比鐵氧體磁珠更好的熱效能。將功率放大器裝置放置在遠離PCB邊緣的位置，避免使用走線或串線切斷從音訊放大器裝置到周圍區域的熱量流。

解決方案:

使用1SPW模式減少開關丟失。避免在放大器附近放置其他發熱元件或結構。銅的厚度和PCB層對熱效能有很大影響。 對於EVM板，它是4層和2Oz銅。

ClassD音訊功放：CS8126S，CS8126T，CS8138，CS8302，CS8122，CS8305，CS8121，CS8563，CS8528，CS8631，CS8618，CS8673，CS8623，CS8655，CS8611，CS8626，CS8676，CS86552，CS8118，CS8120，CS8212，CS8615，CS8622，CS8625，CS8677，CS8688.

ClassR音訊功放(內建升壓）：CS8323，CS8326，CS8330，CS8359，CS83601，CS83501，CS83702，CS83705，CS8389，CS8390，CS8316，CS8623，CS8318，CS83785，CS83711，CS8353，CS86552，CS8332，CS8672.

ClassAB/D音訊功放：CS8139，CS8508，CS8508，CS8532，CS8571，CS8573，CS8575，CS8511，CS8576.

ClassGF音訊功放(內建升壓）：CS5250，CS5230，CS5260，CS5266，CS4230.

耳機功放晶片：CS4410，CS4420，CS4418.

ClassAB音訊功放：CS8591。

電源監控：CS803，CS809，CS810，CS811。

電源管理DC-DC：CS5025，CS5028，CS5036，CS5038，CS5010，CS7120，CS5328，CS5350。

鋰電池充電管理：CS5086，CS5082，CS5080，CS5090，CS5095，CS4056，CS5005，CS5036，CS5054，CS5801，CS5181，CS5305，CS5310，CS5315，CS5318，CS5061，CS5256。

太陽能電池充電管理：CS5328，CS5350。