10 月 20 日訊息，今日韓國 SK 海力士宣佈，成功開發出業界第一款 HBM3 DRAM 記憶體晶片。該產品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，採用多層堆疊工藝，實現遠比傳統記憶體條高的儲存密度以及頻寬。

目前 HBM DRAM 已經發展到了第四代，HBM3 進一步提升了單片容量以及頻寬。海力士表示，2020 年 7 月便開始量產 HBM2E 記憶體，為全球首批量產這種晶片的企業。

SK 海力士最新的 HBM3 晶片，單片最大容量可達 24GB，最高頻寬達到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不僅如此，產品還支援片上 ECC 糾錯，顯著高了可靠性。

這款 HBM3 記憶體提供 16GB 和 24GB 兩種型別，分別為 8 層和 12 層堆疊，每層容量 2GB

瞭解到，這款晶片可以用於高效能 CPU，或者專用計算加速卡，可以顯著提高人工智慧、機器學習運算的效能，有助於科學研究、藥物開發、氣候變化分析等。