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US1G-ASEMI二極體SMA封裝快恢復二極體

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US1G-ASEMI二極體SMA封裝快恢復二極體

型號:US1G

品牌:ASEMI

封裝:SMA

電流:1A

電壓:400V

正向電壓:1.7 V

引腳數量:4

晶片個數:4

晶片尺寸:50MIL

漏電流:100uA

特性:小電流、貼片二極體

工作溫度:-40~+150

US1G的電性引數:最大正向平均電流1A;最大反向峰值電壓400V

US1G的包裝方式:10K/盒,100K/

US1G整流方橋主要應用於電源、充電器、介面卡、LED燈飾、大小家電、民用及工業裝置等產品中使用

快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同,它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I,構成P-I-N矽片。由於基區很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了

trr值,還降低了瞬態正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極體的反向恢復電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極體大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩隻快恢復二極體,根據兩隻二極體接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。(a)C20-04型快恢復二極體(單管)的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復二極體的外形與構造。它們均採用
TO-220塑料封裝,

幾十安的快恢復二極體一般採用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則採用螺栓型或平板型封裝形式。

ASEMI全系列封裝圖