第5章-常用電子元器件-5.3二極體的伏安特性

5.3二極體的伏安特性

知識點概述：

1、二極體的基本結構

2、二極體的伏安特性曲線

（第3講 二極體的結構及伏安特性）

3.1 半導體二極體的構成

1、半導體二極體

（1）組成：是由一個PN接面，加上電極和外引線、以及外殼封裝形成的。

（2）其結構形式可分為點接觸型和麵接觸型。

3.2半導體二極體的基本構成

1、點接觸型

（1）特點：結面積小，因而流過的電流小，但高頻特性好，適用於高頻電路（幾百MHz）

（2）適用於高頻電路、小功率電路

2、面接觸型

（1）特點：結面積大，因而流過的電流大，但高頻特性較低，適用於整流電路

3.3半導體二極體及其符號

1、半導體二極體及其符號（箭頭方向代表二極體的電流方向）

3.4二極體的伏安特性

1、死區電壓：有伏安特性可知，當外加電壓較低時，外電場還無法克服（PN接面內電場對多數載流子擴散運動）的阻力，因此正向電流很小，幾乎為0，此階段稱為“死區”。對應電壓為死區電壓

2、管壓降：只有當外加電壓超過死區電壓時，二極體才能導通，二極體一旦導通，其兩端電壓近似為常量 ，此電壓稱為二極體正向工作時的管壓降，如矽管壓降為0.6-0.7V，鍺管壓降為0.2-0.3V。

3、反向飽和電流：在反向特性區，由於少數載流子的漂移運動，形成很小的反向電流，這個反向電流有兩個特點，（1）隨溫度的升高會快速增長（2）在反向電壓不超過某一範圍時，反向電流的大小基本不變，而與反向電壓無關，故稱反向飽和電流。

4、反向擊穿電壓：但當反向電壓增加到某一值時，反向電流將突然增大，二極體的單向導電性被破壞，此現象稱為“擊穿”，此電壓稱為反向擊穿電壓

5、發生擊穿的原因：發生擊穿的原因是外加的強電場把原子最外層的價電子強行拉出，使載流子數目增加，而處於強電場中的載流子，又獲得強電場所提供的能量而加速，將其他電子撞擊出來，形成了連鎖反應，結果反向電流越來越大，最後使二極體反向擊穿。（非常好！）