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臺積電董事長稱美光的儲存技術已超過三星

日前,臺積電董事長劉德音在出席活動時表示,美光的儲存技術已經超越三星,引來臺積電與美光加深合作的猜測。

目前,在 NAND Flash 領域,美光確有後來居上的態勢,美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開始大量生產,但三星目前仍停留在 128 層。

在 DRAM 技術方面,美光原落後三星,但如今追趕速度加快。今年第一季已領先三星、SK 海力士匯入 1α 製程量產,更預計搶先在 2022 年推進到 1β 製程。臺媒表示,美光與三星的儲存龍頭之爭,未來幾年將很有看頭。

在代工方面,三星一直是臺積電的最大競爭對手,但在儲存方面,三星擁有優勢,以至於一些業內人士認為,如果三星能夠在代工過程中充分整合儲存優勢,將會在與臺積電的對抗中保持競爭力。

正是基於此,臺積電似乎正在謀求同美光的深度合作。

報道分析指出,11 月初剛從美光副總裁位置卸任的徐國晉,閃電加盟臺積電,負責先進封裝測試研發,未來將推動應用處理器與儲存走向 3D 堆疊的異構整合。如此高階層的主管進行交流,顯示臺積電與美光的合作將進入一個新時代,而美光也將成為臺積電大同盟中一個重要的夥伴。