讀寫訪問　　

　　L1CACHE：連讀大概1700GB/S；連寫大概870GB/S；(latency)大概1.1ns

　　L2CACHE：連讀大概500GB/S；連寫大概270GB/S；(latency)大概3.4ns

　　L3CACHE：連讀大概200GB/S；連寫大概150GB/S；(latency)大概15.8ns

　　DDR4：連讀大概60GB/S；連寫大概48GB/S；(latency)大概67.8ns

　　nvme(NonVolatileMemoryExpress) ssd（M.2 NVMe協議）：連讀大概2000MB/S；連寫大概1700MB/S；

　　sata ssd（M.2 SATA通道）：連讀大概450MB/S；連寫大概400MB/S；

　　普通ssd：連讀大概220MB/S；連寫大概80MB/S（和機械的效能差不多）；隨機讀大概5.3MB/S（資料塊512位元組），24.7MB/S（資料塊4k位元組）；隨機寫大概10.2MB/S（資料塊512位元組），68.9MB/S（資料塊4k位元組）；

　　機械硬碟：連讀大概100～150MB/S；連寫大概80MB/S；隨機讀大概0.04MB/S（資料塊512位元組），0.3MB/S（資料塊4k位元組）；隨機寫大概0.08MB/S（資料塊512位元組），0.6MB/S（資料塊4k位元組）；

定址：

　　DDR4：6ns左右(1ms=1000000ns)

　　機械硬碟：1s/7200(轉)=0.14ms

　　SSD：0.1ms

詳情如下圖：

說明：

　　記憶體的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等於下列時間的綜合：FSB同主機板晶片組之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，晶片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘週期,用於決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘週期,用於決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘週期來傳送資料，資料從DRAM輸出快取通過晶片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘週期)。一般的說明記憶體延遲涉及四個引數CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預衝電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對於時鐘下沿的資料讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了記憶體從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的資料3—3—3—6中，第一引數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。