NAND 快閃記憶體廠商都準備在 2022 年底到 2023 年期間推出 200 層以上的晶片產品，這是行業向更高密度的 3D NAND 快閃記憶體過渡的里程碑。

據《電子時報》援引訊息人士稱，在這些供應商中，三星電子和美光科技可能是首批開始批量生產 200 層以上 3D NAND 快閃記憶體晶片的廠商。

該人士表示，三星在韓國平澤的新工廠於 2021 年下半年開始生產，並將在今年提高 176 層 3D NAND 晶片的產量。過渡到 176 層 3D NAND 快閃記憶體製造，預計將使三星新工廠的總產量在 2022 年提高到每月 5 萬個晶圓。

此外，三星還計劃在中國西安工廠擴大 128 層 3D NAND 晶片的產量。目前，該工廠正在建設第二期工廠，每月可生產 13 萬至 14 萬片晶圓。第一期工廠的月均生產量為 12 萬個。

該訊息人士認為，三星西安工廠將是決定其定價策略的關鍵，因為該工廠產量的大幅增加將有助於大幅降低供應商的整體生產成本。三星在晶圓廠的產量增加一倍以上的能力，也將為其未來的市場領導地位奠定基礎。

此外，三星決定將其雙層技術整合到其 176 層 3D NAND 製造工藝中，可以加速其向 200 層以上一代的過渡，並有助於擴大其相對於競爭對手的技術領先優勢。

與此同時，據業內訊息人士稱，鎧俠可能成為日本政府 68 億美元半導體投資計劃的受益者之一。政府的補貼可能會幫助鎧俠在巖手縣的北上進行擴建專案，在那裡將建立一個新的 K2 工廠。鎧俠在該地有一家 3D NAND 快閃記憶體工廠 K1。

鎧俠尚未披露其向 200 層以上 3D NAND 工藝生產過渡的計劃，但已宣佈其與西部資料聯合開發的 162 層 3D NAND。市場觀察人士預計，鎧俠將在 2022 年至 2023 年期間將 162 層 3D NAND 作為其主流製造工藝。

另外據報道，英特爾在其 3D NAND 快閃記憶體製造中採用了雙棧的方法，訊息人士稱，該公司到 2023 年將推進到 196 層。

而美光早在 2022 年 1 月就宣佈已開始批量出貨其宣稱業界首款 176 層 QLC NAND SSD 硬碟。公司此前表示，它將努力在整個行業的利潤池中獲得更大的份額，而非增長其在行業產量中的份額。

儘管進入 NAND 快閃記憶體市場較晚，但長江儲存在提高 128 層 3D NAND 快閃記憶體的生產收益率方面取得了進展。據中國大陸業內訊息人士稱，長江儲存已將 64 層 3D NAND 快閃記憶體製造的收益率提高到成熟水平。

訊息人士稱，長江儲存有望在 2022 年上半年實現月產量增至 10 萬片的目標。這家晶片製造商正努力進入中國一線品牌供應鏈，並將其目標市場擴大到包括手機和個人電腦應用。

據 chinflashmarket 預測，2020-2025 年，全球 NAND 快閃記憶體市場將以 30% 的複合年增長率增長，而資料中心市場在未來五年內將以 39% 的複合年增長率增長。