近日，商務部轉載韓國《STRAIGHTNEWS》新聞指出，三星電子近期完成了在西安建設的半導體二期擴建工程，並正式投入生產。三星電子西安二期專案的投產，達到 13 萬片 / 月的產能，再加上原來每月 12 萬片的產量，產能將達到 25 萬片 / 月。西安工廠是三星電子 NAND 快閃記憶體半導體的生產據點。通過此次擴建，三星電子的 NAND 快閃記憶體生產能力將佔世界市場的 10% 以上。

陝西日報訊息指出，西安三星半導體一期專案於 2012 年 9 月開工建設，2014 年 5 月建成投產，投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元，其中快閃記憶體晶片專案投資 100 億美元，封裝測試專案投資 8.7 億美元。

2017 年 8 月 30 日，西安三星半導體投資 70 億美元在西安高新區建設 12 英寸快閃記憶體晶片二期專案，新建一條快閃記憶體生產線。2019 年 12 月，該公司決定再投資 80 億美元，擬對二期專案進行擴建，實現增產及產品迭代。