3 月 9 日晚間，聞泰科技釋出公告稱，全資子公司 NexperiaB.V.（“安世半導體”）於 2021 年設立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬 IC 等新產品研發方向。目前公司自主設計研發的絕緣柵雙極電晶體（InsulatedGateBipolarTransistor，以下簡稱“IGBT”）系列產品已流片成功，取得階段性重大進展，各項引數均達到設計要求。

公告顯示，IGBT 是電源轉換的核心器件，也是新能源與節能低碳經濟的主要支撐技術，具有開關速度快、載流密度大等特點，並擁有廣泛的應用市場，主要面向新能源汽車、光伏 / 風力發電、智慧電網、大功率電源、工業控制、家電產品等領域。其市場空間大、技術壁壘高且注重工程師經驗和品牌口碑積累，是半導體裡的優質賽道。

聞泰科技表示，IGBT 流片成功後，仍需經過客戶驗證，後續量產計劃具有不確定性。目前公司生產經營正常，各項業務有序開展，公司將視相關產品及專案的進展情況持續履行資訊披露義務。