編輯-Z

MBR10100DC在TO-263封裝裡採用的2個晶片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二極體。MBR10100DC的浪湧電流Ifsm為150A，漏電流(Ir)為0.05mA，其工作時耐溫度範圍為-65~175攝氏度。MBR10100DC採用SI晶片材質，裡面有2顆晶片組成。MBR10100DC的電性引數是：正向電流(Io)為10A，反向耐壓為100V，正向電壓(VF)為0.8V，恢復時間(Trr)為5nS，其中有3條引線。

MBR10100DC引數描述

型號：MBR10100DC

封裝：TO-263

特性：肖特基二極體

電性引數：10A100V

晶片材質：SI

正向電流(Io)：10A

晶片個數：2

正向電壓(VF)：0.8V

晶片尺寸：

浪湧電流Ifsm：150A

漏電流(Ir)：0.05mA

工作溫度：-65~+175℃

恢復時間(Trr)：<5nS

引線數量：3

MBR10100DC肖特基TO-263封裝系列。它的本體長度為10.6mm，加引腳長度為16.6mm，寬度為10.4mm，高度為4.8mm，腳間距為2.75mm。MBR10100DC採用阻燃環氧模塑料，有低功耗、高效率、低正向電壓、高電流能力、高浪湧能力等特性，常用於低壓、高頻逆變器續流和極性保護應用。

以上就是關於MBR10100DC-ASEMI肖特基二極體MBR10100DC的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發、製造、銷售為一體的國家高新技術企業。12年專注於整流橋、電源

ASEMI產品廣泛應用於：開關電源、LED照明、積體電路、移動通訊、計算機、工業自動化控制裝置、汽車電子以及液晶電視、IoT、智慧家居、醫療儀器、 電磁爐等大小家電。