20155321 《信息安全系統設計》課堂測試（ch06）

1. (單選題|1分)下面代碼中，對數組x填充後，采用直接映射高速緩存，所有對x和y引用的命中率為（）
   
   A .1 B .1/4 C .1/2 D. 3/4

• 解析：P431，填充消除了沖突不命中，因此，四分之三的引用是命中的
• 正確答案：D

1. (多選題|1分)有關高速緩存的說法正確的是（）

   A .高速緩存的容量可以用C=SEB來計算

   B .高速緩存容量為2048，高速緩存結構為（32，8，8，32）

   C .直接映射高速緩存要：組選擇、行匹配、字抽取

   D .當程序訪問大小為2的冪的數組時，直接映射高帶緩存中常發生沖突不命中

• 解析：對於B選項，高速緩存容量為2048，高速緩存結構為（（ 32 ），8，8，32）
• 正確答案：ACD

1. The following table gives the parameters for a number of different caches. For
   each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
   

A .第三行S為1 B .第一行t為24

C .第二行b為5 D .第三行s的值為0

• 解析：
  

• 正確答案：ACD（？）

1. (多選題|1分)有關緩存的說法，正確的是（）

A .LRU策略指的是替換策略的緩存會選擇最後被訪問時間距現在最遠的塊

B .不同層之間以字節為傳送單元來回復制

C .緩存不命時，決定哪個塊是犧牲塊由替換策略來控制

D .空緩存的不命中叫沖突不命中

• 解析：P422-P423。對於B選項，不同層之間不是以字節為傳送單元來回復制，而是以塊為大小傳輸單元在層與層之間復制。對於D選項，空緩存的不命中叫強制性不命中或冷不命中
• 正確答案:AC

1. (多選題|1分)下面說法正確的是（）
   
   A.存儲層次結構中最小的緩存是寄存器

B.存儲層次結構的中心思想是每一層都緩存來自較低一層的數據對象

C.L4主存可以看作是L5：本地磁盤的緩存

D.L4主存可以看作是L6的緩存

• 解析：P421。對於D選項，因為在存儲層次結構中，每一層都緩存來自較低一層的數據，因此L4主存可以看作是L5的緩存，而不是L6，L5可以看作是L6的緩存。
• 正確答案:ABC

1. (單選題|1分)下面代碼的步長是（）
   
   A.1 B.N C. NN D. NN*N

• 解析：P418。因為sum += a[k][i][j]並不是按順序選取元素，k被放在了第一個位置，因此會增加步長至N*N
• 正確答案:C

1. 下面代碼中（）局部性最差

A.

1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 } 

B.

1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 } 

C .

1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 } 

D.不確定

• 解析：P418。函數clear1以步長為1訪問數組，clear2雖然是依次掃描N個數據，但是步長不是以1的模式，因此clear2的局部性比clear1要差，對於clear3，clear3不僅在結構中跳來跳去，而且還從結構跳到結構，因此空間局部性中它是最差的。
• 正確答案:C

1. (單選題|1分)程序中（）語句具有良好的局部性

A.順序 B.分支 C.循環 D.以上都是

• 解析：P419。for循環體裏的指令是按照連續的內存順序執行的，因此循環具有良好的空間局部性。因為循環體會被執行很多次，所以它也有很好的時間局部性。
• 正確答案:C

1. (單選題|1分)下面代碼，（）具有差的空間局部性。

A.

1 int sumvec(int v[N])
2 {
3 int i, sum = 0;
4 
5 for (i = 0; i < N; i++)
6 sum += v[i];
7 return sum;
8 } 

B.

1 int sumarrayrows(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (i = 0; i < M; i++)
6 for (j = 0; j < N; j++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 } 

C.

1 int sumarraycols(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (j = 0; j < N; j++)
6 for (i = 0; i < M; i++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 } 

D. 以上都不對

• 解析：P418。對於函數sumarraycols()，因為它是按照列的順序來掃描數組，而不是按照行的順序，因此它是使用步長為N的引用模式來掃描
• 正確答案：C

1. (多選題|1分)有關局部性原理，說法正確的是（）

   A.程序訪問一個向量，步長越小或短，空間局部性越好

   B.局部性有兩種形式：空間局部性，時間局部性

   C.程序訪問一個向量，步長越大空間局部性越好。

   D.硬件、OS，應用程序都會用到局部性原理
   

• 解析：P418。對於C選項，程序訪問一個向量，步長越小空間局部性越好。
• 正確答案：ABD

1. (多選題|1分)下面說法正確的是（）

A.CPU通過內存映射I/O向I/O設備發命令

B.DMA傳送不需要CPU的幹涉

C.SSD是一種基於閃存或Flash的存儲技術

D.邏輯磁盤塊的邏輯塊號可以翻譯成一個（盤面，磁道，扇區 ）三元組。

• 解析：P411、P413
• 正確答案：ABCD

1. (單選題|1分)下面（）是I/O總線

   A.USB B.PCI C.網卡 D.圖形卡

• 解析：P411
• 正確答案：B

1. (多選題|1分)有關磁盤操作，說法正確的是（）

   A.對磁盤扇區的訪問時間包括三個部分中，傳送時間最小。

   B.磁盤以字節為單位讀寫數據

   C.磁盤以扇區為單位讀寫數據

   D.讀寫頭總處於同一柱面

• 解析：P409。對於B、C選項，磁盤以扇區大小的塊來讀寫數據。但對於D選項，書本P409磁盤操作的第一段最後一句寫道：在任何時刻，所有的讀/寫頭都位於同一個柱面上。所以D選項為什麽不對呢？
• 正確答案：AC（？）

1. (單選題|1分)計算下面磁盤的容量（）：4個盤片，100000個柱面，每條磁道400個扇區，每個扇區512個字節

   A.81.92GB B.40.96GB

   C.163.84 D.327.68GB

• 解析：P408。因為磁盤容量=柱面數 * 磁盤面數 * 扇區數 * 字節數=4x2x100000x400x512=163.84GB
• 正確答案：C

1. (多選題|1分)有關磁盤，說法正確的是（）
   A.磁盤的讀取時間為毫秒級

   B.每張磁盤有一個表面

   C.表面由磁道組成

   D.每個扇區的面積不同，包含的數據位的數量也不一樣

• 解析：P406。對於B選項，每張磁盤有多個表面。對於D選項，每個扇區所包含的數據位的數量是一樣的。
• 正確答案:AC

1. (多選題|1分)根據攜帶信號不同，總線可分為（）

   A.系統總線 B.數據總線

   C.內存總線 D.地址總線

   E.控制總線

• 解析：P405。總線分為數據總線、地址總線、控制總線
• 正確答案:BDE

1. (多選題|1分)關於非易失性存儲器，下面說法正確的是（）

   A.DRAM是非易失性存儲器

   B.SRAM是非易失性存儲器

   C.PROM只能編程一次

   D.EEPROM可以用紫外線進行擦除

   E.存在ROM中的程序通常被稱為固件

• 解析：P404
• 正確答案:CE。對於A、B選項，DRAM、SRAM是易失的。對於D選項，EPROM可以用紫外線進行擦除，而不是EEPROM。
  B.SRAM是非易失性存儲器

1. (單選題|1分)通過使用兩個時鐘沿作為控制信號，對DRAM進行增強的是（）

   A.FPM DAM B.SDRAM

   C.DDR SDRAM D.VRAM

   E.EDO DRAM

• 解析：P403。DDR SDRAM是對SDRAM的一種增強，它通過使用兩個時鐘沿作為控制信號，從而使DRAM的速度翻倍。
• 正確答案:C

1. (多選題|1分)有關RAM的說法，正確的是（）
   A.SRAM和DRAM掉電後均無法保存裏面的內容。

   B.DRAM將一個bit存在一個雙穩態的存儲單元中

   C.一般來說，SRAM比DRAM快

   D.SRAM常用來作高速緩存

   E.DRAM將每一個bit存儲為對一個電容充電

   F. RAM需要不斷刷新

   G.DRAM被組織為二維數組而不是線性數組

• 解析：P400
• 正確答案:ADEG

1. (多選題|1分)有關計算機存儲系統，下面說法正確的是（）

   A.程序具有良好的局部性表現在傾向於從存儲器層次結構中的較低層次處訪問數據，這樣節省時間

   B.存儲層次涉用不同容量，成本，訪問時間的存儲設備

   C.存儲層次設計基於局部性原理

   D.“存儲山”是時間局部性和空間局部性的函數

• 解析：P399。對於A選項，程序具有良好的局部性表現在傾向於從存儲器層次結構中的較高層次處訪問數據。層次越低，訪問速度越慢。
• 正確答案:BCD

20155321 《信息安全系統設計》課堂測試（ch06）