1.半導體二極管與MOS管的開關特性

二極管：正向導通，反向截止，但是要註意的是從反向截止到正向導通的時間極其短，但是從正向導通到反向截止要經過反向恢復（電荷存儲效應）的過程，這個過程實際上就是存儲電荷消失的時間，也是結電容的放電時間。（所以可以用於防止反相電流過大的情況）

BJT：主要分為截止區放大區以及飽和區，截止區的時候Ib=0相當於開關打開，斷路，而飽和區的時候，Vce=0.2-0.3V開關閉合導通。在放大區工作的時候，基級輸入理想的方波信號，它的集電極輸出的波形的起始和平頂部分都會延遲一段時間，有延遲時間，上升時間存儲時間以及下降時間

MOS：開關輸入信號在高低電平之間轉換的時候，MOS要通過導通電阻對負載電容放電，輸出電壓變化滯後於輸入電壓的變化，而且他的導通電阻大，所以其開關特性較差。

關於MOS管的增強型與耗盡型的之間的聯系區別。

增強型的MOS管指的是輸入到柵極的電壓Vgs是大於零的，隨著柵極輸入電壓Vgs的增大，電流Id 也在增大，載流子不斷向柵極靠攏的過程；而耗盡型的MOS指的是柵極輸入電壓VGs從一開始的時候是小於零的，這時候的載流子都集中在柵極，然後VGs絕對值變大的過程中，Id變大，同時載流子不斷減少的過程

邏輯門電路的知識點歸納