通過清華大學華成英老師的視訊進行學習

1 半導體基礎知識

半導體

矽（Si）、鍺（Ge），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介於導體與絕緣體之間。

本徵半導體是結純淨的晶體構的半導體。

2.PN接面的形成及其單向導電性

P區空穴濃度遠高於N區，N區自由電子濃度遠高於P區。

擴散運動使靠近接觸面P區的空穴濃度降低、靠近接觸面N區的自由電子濃度降低，產生內電場。

由於擴散運動使P區與N區的交介面缺少多數載流子，形成內電場，從而阻止擴散運動的進行。內電場使空穴從N區向P區、自由電子從P區向N 區運動。

因電場作用所產生的運動稱為漂移運動。

參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同，達到動態平衡，就形成了PN接面。

PN接面加正向電壓導通： 耗盡層變窄，擴散運動加劇，由於外電源的作用，形成擴散電流，PN接面處於導通狀態。

PN接面加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利於漂移運動，形成漂移電流。由於電流很小，故可近似認為其截止。

PN接面外加電壓變化時，空間電荷區的寬度將發生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。

PN接面外加電壓變化時，空間電荷區的寬度將發生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。

結電容不是常量！若PN接面外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向導電性！

二極體的電流與其端電壓的關係稱為伏安特性。