arm啟動方式有從norfalsh啟動、nandflash啟動、SD卡啟動和UBS啟動等，但是他們的啟動原理都是大同小異的。

開始之前，先理清幾個概念：

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)：同步動態隨機存取儲存器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定地址進行資料讀寫，簡單的說，它就是cpu使用的外部記憶體，即我們常說的記憶體條。

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料，速度比SDRAM快，一般用作高速緩衝儲存器（Cache）。

norflash:非易失快閃記憶體,是一種外部儲存介質，晶片內執行(XIP,eXecute In Place)，這樣應用程式可以直接在flash快閃記憶體內執行，不必再把程式碼讀到系統RAM中，由於它有地址匯流排，cpu可以直接從norflash中取指，直接從FLASH中執行程式，但是工藝複雜，價格比較貴，容量較小（1~4M），NOR的傳輸效率很高

nandflash：它也是非易失快閃記憶體（掉電不丟失）的一種，但是它雖然有資料匯流排，但是沒有地址匯流排，所以cpu不能直接從男的法拉盛中取指執行，由於它價格便宜，所以常常用來儲存大量資料，和我們常說的硬碟類似。

一、 Nandflash啟動

首先必須把一個正確的bootloader燒寫到nandflash的最低位置，即從0x000000開始燒寫。當我們選擇從nandflash啟動開發板的時候，開發板就會啟動連線nandflash的電路結構，開發板一上電的時候，Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K資料搬移到CPU的內部RAM中（SRAM）,這個內部RAM我們通常稱作stepping stone，同時把這段片內SRAM對映到nGCS0片選的空間（即0x00000000），CPU從內部RAM的0x00000000位置開始啟動，這個過程是不需要程式干涉的。

這個過程就是啟動過程的stage1,它將nandflash的前4看內容拷貝到stepping stone中，然後從stepping stone的第一條指令開始執行，這4k內容裡面的指令將會完成以下幾個動作：

1.硬體裝置初始化

2. 載入U-Boot第二階段程式碼到SDRAM空間

3. 設定好棧

4. 跳轉到第二階段程式碼入口

1.剛開始bank0~bank5是隻能對映SROM的，而bank6和bank7才能夠接SDRM，而且每個bank最大接128M的SDRM，所以決定了S3C2440的最大可外接SDRAM是256M；

2.從圖中我們可以看到bank6的起始地址是0x3000_0000, 所以我們在執行stage1的第二個動作（載入U-Boot第二階段程式碼到SDRAM空間）時，需要將uboot程式碼放到0x3000_000~0x4000_0000區間內（SDRAM內），才能從SDRAM中正常執行stage2；

3.當沒有選擇從nandflash啟動時，Boot internal SRAM（4k）的起始地址是0x4000_0000, 當選擇從nandflash啟動時，Boot internal SRAM（4k）的起始地址是0x00, 因為我們的開發板沒有外接SROM，所以bank1~bank5都是空閒的，而bank0的位置將被Boot internal SRAM（4k）替代，也就是說bank0的前4k就是stepping stone（起步石），板子上電以後，在nandflash的啟動模式下，S3C2440在硬體上會完成下圖中的地址對映，並自動將nandflash中的前4k拷貝到stepping stone中，並從stepping stone的開始地址(0x00)獲取到第一條指令並執行。

前面說了nandflash啟動過程中第一個程式碼搬移，下面將解析第二個程式碼搬移，這4k程式碼首先會設定cpu執行模式，關看門狗，設定時鐘，關中斷，初始化記憶體，初始化nandflash，設定堆疊，然後將整個bootload搬運到SDRAM中，並跳轉到SDRAM中執行。

二、norflash啟動

其實理解了nandflash的啟動方式，norflash的啟動也就好理解多了，首先需要知道的是norflash是可以在片上執行程式碼（XIP）的，也就是說，我們只需要將bootload燒寫到norflash的開始地址，當開發板上電以後，從記憶體對映圖可以知道，nor flash會被對映到0x00000000地址（就是nGCS0，這裡就不需要片內SRAM來輔助了，所以片內SRAM的起始地址還是0x40000000，不會改變），然後cpu從0x00000000開始執行（也就是在Norfalsh中執行）整個uboot，直到引導核心啟動。

從norflash啟動可以省事多了，不僅如此，我們自己編寫的裸機程式需要除錯，一般也是直接燒寫到norflash中進行的，因為只要我們將編譯好的可執行檔案放到norflash的開始，開發板上電以後就會從norflash的第一條指令開始取指執行，我們後面寫裸機程式的除錯就是用這種方式進行的。

從norflash啟動雖然從開發的角度會很方便（其實也方便不了多少），但是從產品的角度卻增加了它的成本，畢竟norflash還是相對較貴的，我們明明只要一塊nandflash就足夠啟動整個開發板了，就沒必要在產品中新增一塊norflash了，只要程式碼改改就能省下不少成本，何樂不為。而且nandflash對產品是必不可少的，因為後面還要存放核心和檔案系統，起碼需要幾十兆的空間，用norflash來儲存也不現實。

也許你會想，能不能只用norflash，不用nandflash和SDRAM行不行呢，畢竟norflash即可以儲存，也可以執行程式的啊，從理論來說是可以的，但是瞭解一下他們的市場價格、執行速度和工作原理，應該就會知道答案了。

註釋：stepping stone是三星MCU的一種啟動方式，s3c2440的MMU有一種“steppingstone”.技術，是協助MCU從無法執行程式的NAND FLASH執行啟動程式的一種方法。

1、系統上電後,首先自動判斷是否是autoboot模式，如果使用 s3c2410是帶有nandflash的,並且被設定成autoboot,從nandflash開始啟動.

2、在判斷是autoboot模式後,mcu內建的nandflash控制器自動將nandflash的最前面的4k區域(這4k區域存放著 bootloader的最前面4k程式碼)拷貝到samsung所謂的"steppingstone"裡面(steppingstone是在S3C2440 中，實際上是一塊4k大小的SRAM，).

3、在拷貝完前4k程式碼後,nandflash控制器自動將"steppingstone"對映到arm地址空間0x00000000開始的前4k區域.

4、在對映過程完成後.nandflash控制器將pc指標直接指向arm地址空間的0x00000000位置,準備開始執行"steppingstone"上的程式碼.

5、而"steppingstone"上從nandflash拷貝過來的4k程式碼,是程式設計師寫的bootloader的前4k程式碼.這個 bootloader在之前寫好,並已經被燒寫到nandflash的0x00000000開始的最前面區域..而這"steppingstone"上的 4k程式碼就是bootloader的前4k程式碼.

6、在pc指向arm地址空間的0x00000000後,系統就開始執行指令程式碼.這4k程式碼的任務是:初始化硬體,設定中斷向量表,設定堆疊,然後一個很重要的任務是,將nandflash的最前面區域的bootloader(包含4k啟動程式碼)拷貝到SDRAM中去,bootloader程式碼的大小是寫好bootloader就確定的.然後只需要確定bootloader想對映到SDRAM的起始位置就ok.

7、在完成對nandflash上的bootloader搬移後,找到4k程式碼的搬移程式碼最後一個指令的下一個指令在SDRAM的bootloader的地址,然後跳轉到該位置,繼續執行bootloader的剩餘程式碼(引導系統).