常見儲存器概念辨析：

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash

儲存器可以分為很多種類，其中根據掉電資料是否丟失可以分為RAM（隨機存取儲存器）和ROM（只讀儲存器），其中RAM的訪問速度比較快，但掉電後資料會丟失，而ROM掉電後資料不會丟失。

ROM和RAM指的都是半導體儲存器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而RAM通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的RAM就是計算機的記憶體。

    RAM 又可分為SRAM（Static RAM/靜態儲存器）和DRAM（Dynamic RAM/動態儲存器）。SRAM 是利用雙穩態觸發器來儲存資訊的，只要不掉電，資訊是不會丟失的。DRAM是利用MOS（金氧半導體）電容儲存電荷來儲存資訊，因此必須通過不停的給電容充電來維持資訊，所以DRAM 的成本、整合度、功耗等明顯優於SRAM。SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。DRAM保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機記憶體就是DRAM的。    DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM等。DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢.

　　而通常人們所說的SDRAM 是DRAM 的一種，它是同步動態儲存器，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在嵌入式系統中經常使用。 

    ROM也有很多種，PROM是可程式設計的ROM，PROM和EPROM（可擦除可程式設計ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。

      Flash也是一種非易失性儲存器（掉電不會丟失），它擦寫方便，訪問速度快，已大大取代了傳統的EPROM的地位。由於它具有和ROM一樣掉電不會丟失的特性，因此很多人稱其為Flash ROM。FLASH儲存器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可程式設計（EEPROM）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），U盤和MP3裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的儲存裝置，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式程式碼或者直接當硬碟使（U盤）。

     目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在NOR FLASH裡面的程式碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。NAND Flash沒有采取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。使用者不能直接執行NAND Flash上的程式碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來執行啟動程式碼。
  一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以線上擦除。

NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NAND則是高資料儲存密度的理想解決方案，NOR一般只用來儲存少量的程式碼；NOR主要應用在程式碼儲存介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程式可以直接在（NOR型）flash快閃記憶體內執行，不必再把程式碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分。NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。

效能比較:

　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

　　● NAND的寫入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

　　● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

　　● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

易於使用:

　　可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行程式碼。

　　由於需要I/O介面，NAND要複雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

　　在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬對映。

總結如下：

Nand Flash：適合大容量資料儲存，類似硬碟；

Nor Flash：適合小容量的程式或資料儲存，類似小硬碟；

SDRAM：主要用於程式執行時的程式儲存、執行或計算，類似記憶體，主要應用於嵌入式系統中()。

SRAM :主要應用於計算機快取；

DRAM :主要應用於計算機記憶體；

          Nor Flash有自己的地址線和資料線，可以採用類似於memory的隨機訪問方式，在Nor Flash上可以直接執行程式，所以Nor Flash可以直接用來做boot，採用Nor Flash啟動的時候會把地址對映到0x00上。

          Nand Flash是IO裝置，資料、地址、控制線都是共用的，需要軟體區控制讀取時序，所以不能像Nor Flash、記憶體一樣隨機訪問，不能EIP（片上執行），因此不能直接作為boot。

PS:為什麼不能再NAND 上執行程式？

程式碼執行主要就是指令取值和資料存取， 對於指令存取和資料存取，CPU 直接將要預取的指令或者資料的地址發到系統總線上，對於ARM (就是AXBI) 匯流排， 這個地址會根據Soc之錢的地址編碼送到不同的控制器，對於NAND Flash 根本就沒有地址線，只有資料線。 NAND Flash 的讀取是要靠軟體程式碼經過 NAND Flash controller 發相關的命令和要地址等資料到NAND Flash晶片內部的控制器， 命令和地址都是經過資料線傳送的。一般需要多個週期， 由於需要資料讀寫，需要軟體介入，所以說他不是XIP 的。XIP 從某種意義上說是 CPU 送出的地址能否不經過任何軟體直接能夠定址到相關的儲存單元。所以Nor Flash/SRAM/SDRAM 都是XIP 的，而Nand Flash 等就不是XIP 了。
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作者：六角雅閣 
來源：CSDN 
原文：https://blog.csdn.net/liujiaoyage/article/details/37930475?utm_source=copy 
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