1、Nand的型號與命名

以K9F2G08來示例分析一下：K9F表示是三星公司的NandFlash系列。2G表示Nand的大小是2Gbit（256MB）。08表示Nand是8位的（8位就是資料線有8根）

2.Nand的頁、塊、器件

Nand中可以被單次訪問的最小單元（就是說對Nand進行一次讀寫至少要讀寫這麼多，或者是這麼多的整數倍）叫做Page（頁），在K9F2G08晶片中，Page的大小是2KB+64B。也就是說我們要讀寫K9F2G08，每次至少要讀寫2KB或者n*2KB，即使我們只是想要其中的一個位元組。這就是我們說的典型的塊裝置（現在有些塊裝置為了方便，提供了一種random read模式，可以只讀取1個位元組）。

頁往上還有個Block（塊）的概念，1個塊等於若干個頁（譬如在K9F2G08中1個塊等於64頁）。

頁往上就是整個Nand晶片了，叫做Device。一個Device是若干個Block，譬如K9F2F08一個Device有2028個block。所以整個Device大小為：2048×64×2K = 256MB

Page是讀寫Nand的最小單位；Block是擦除Nand的最小單位。

定址的最小單位是位元組，但是讀寫的最小單位是頁。

3、帶內資料和帶外資料（ECC與壞塊標記）

(1)Nand的每個頁由2部分組成，這2部分各自都有一定的儲存空間。譬如K9F2G08中為2K+64位元組。其中的2K位元組屬於帶內資料，是我們真正的儲存空間，將來儲存在Nand中的有效資料就是存在這2K範圍內的（我們平時計算nand的容量時也是隻考慮這2KB）；64位元組的帶外資料不能用來儲存有效資料，是作為別的附加用途的（譬如用來儲存ECC資料、用來儲存壞塊標誌等····）

(2)什麼是ECC：（error correction code，錯誤校驗碼）。因為nand儲存本身出錯（位反轉）概率高（Nand較Nor最大的缺點就是穩定性），所以當我們將有效資訊儲存到Nand中時都會同時按照一定演算法計算一個ECC資訊（譬如CRC16等校驗演算法），將ECC資訊同時儲存到Nand這個頁的帶外資料區。然後等將來讀取資料時，對資料用同樣的演算法再計算一次ECC，並且和從帶外資料區讀出的ECC進行校驗。如果校驗通過則證明Nand的有效資料可信，如果校驗不通過則證明這個資料已經被損壞（只能丟棄或者嘗試修復）。

(3)壞塊標誌：Nand晶片用一段時間後，可能某些塊會壞掉（這些塊無法擦除了，或者無法讀寫了），nand的壞塊非常類似於硬碟的壞道。壞塊是不可避免的，而且隨著Nand的使用壞塊會越來越多。當壞塊還不算太多時這個Nand都是可以用的，除非壞塊太多了不划算使用了才會換新的。所以我們為了管理Nand發明了一種壞塊標誌機制。Nand的每個頁的64位元組的帶外資料中，我們（一般是檔案系統）定義一個固定位置（譬如定位第24位元組）來標記這個塊是好的還是壞的。檔案系統在發現這個塊已經壞了沒法用了時會將這個塊標記為壞塊，以後訪問nand時直接跳過這個塊即可。

4.

(1)作為一個儲存器件，肯定需要讀寫等操作，也就需要發出讀命令、發出要讀寫的地址、接收讀回來的資料，那麼只有8個IO如何做到傳輸命令、地址、資料的呢？

在DATA0～DATA7上既傳輸資料，又傳輸地址，也傳輸命令：

1. 當ALE為高電平時傳輸的是地址。

2. 當CLE為高電平時傳輸的是命令。

3. 當ALE和CLE都為低電平時傳輸的是資料。

(2) 假設燒寫NAND FLASH，把命令、地址、資料發給它之後，NAND FLASH肯定不可能瞬間完成燒寫的，怎麼判斷燒寫完成？

 通過狀態引腳RnB來判斷：它為高電平表示就緒，它為低電平表示正忙

(3) 怎麼操作NAND FLASH呢？

發出命令、發出地址、發出資料/讀資料，每個操作都有固定的時序，我們可以自己用IO口模擬時序，也可以藉助2440內部的nandflash控制器來操作flash，這樣的話就只需要操作內部的暫存器就可以操作flash了。

具體的操作細節見以下部落格：

http://wiki.100ask.org/%E7%AC%AC016%E8%AF%BE_Nand_Flash

參考：朱友鵬課件，韋東山課件