一、單極型電晶體
單極型電晶體也稱場效電晶體，簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數載流子）參與導電，故稱為單極型電晶體。 特點：
輸入電阻高，可達107 ~ 1015 Ω，絕緣柵型場效電晶體(IGFET) 可高達 1015 Ω。
噪聲低，熱穩定性好，工藝簡單，易整合，器件特性便於控制，功耗小，體積小，成本低。 分類：
根據材料的不同可分為結型場效電晶體JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場效電晶體IGFET(Insulated Gate FET) 。

二、雙極型電晶體
雙極型電晶體也稱晶體三極體，它是一種電流控制型器件，由輸入電流控制輸出電流，其本身具有電流放大作用。它工作時有電子和空穴兩種載流子參與導電過程，故稱為雙極型三極體。 特點：
三極體可用來對微弱訊號進行放大和作無觸點開關。它具有結構牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優點，故在各個領域得到廣泛應用。 分類：
根據材料的不同晶體三極體可分為矽管(Si)與鍺管(Ge)。
矽三極體的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極體的增益大，頻率響應好，尤其適用於低壓線路。