一、BC1.2

1.Data Contact Decect

DCD機制使用了向D+提供的電流源Isp_src來檢測PD連線host（SDP）後，資料訊號的連線。

• PD檢測VBUS有效（>Votg_sess_vld）.
• PD使能D+上的電流源IDP_SRC和D-線上的下拉電阻Rdm_dwn.
• PD檢測到D+線保持Tdcd_dbnc（Data contact detect debounce min=10ms）低電平.
• 關閉D+電流源Idp_src和D-線上的下拉電阻Rdm_dwn.

如果檢測超時（Tdcd_timeout max=900ms）則轉到Primary Detection.

2. Primary Detection

• 開啟D+上的Vdp_src（D+ Source Voltage 0.5~0.7v）和D-比較器上的Idm_sink（D- Sink Current 25~175 μA），D+被Vdp_src拉高.
• 檢測D-的電壓值：將 D- 與Vdat_ref（Data Detect Voltage 0.25~0.4  v）比較，如果大於則可能的充電型別為 DCP 或CDP .

3.Secondary Detection

二次檢測用來區分DCP及CDP。PD在檢測到VBUS的Tsvld_con_pwd（Session valid to connect time for powered up peripheral max=1s）時間內，如果PD還沒做好被列舉的準備，則要求PD進行二次檢測.如果PD做好了被列舉的準備，則可以跳過二次檢測.

• 開啟D-上的Vdm_src，D-被Vdm_src拉高.
• 然後檢測D+的電壓值，將其與Vdat_ref比較，若高於則為 DCP，低於則是 CDP.

總結以上

DCD

Primary detection

D+=0.6V —— 測D- —— ①D-<Vdat_ref —— SDP

                                        ②D-＞Vdat_ref —— CDP或DCP

Secondary detection

D-=0.6V —— 測D+ —— ①D+<Vdat_ref —— CDP

                                        ②D+>Vdat_ref —— DCP

充電型別

高通QC2.0：

　　快充的充電器與手機通過micro USB介面中間兩線（D+D-）上載入電壓來進行通訊，調節QC2.0的輸出電壓。握手過程如下：當將充電器端通過資料線連到手機上時，充電器預設通過 MOS讓D+D-短接，手機端探測到充電器型別為DCP（專用充電埠模式）。此時輸出電壓為5v，手機正常充電。

　　若手機支援QC2.0快速充電協議，則Android使用者空間的HVDCP程序將會啟動，開始在D+上載入0.325V（圖中為0.6V，具體是多少？）的電壓。當這個電壓維持大於1s 後，充電器將斷開D+和D-的短接， D-上的電壓將會下降；手機端檢測到D-上的電壓下降後，HVDCP獲取手機預設的充電器電壓值，比如 9V，則設定D+上的電壓為VDP_UP（D+ pull-up Voltage 3.0~3.6 V），D-上的電壓為VDM_SRC（D- Source Voltage 0.5~0.7 V），充電器輸出9v電壓。

　　快充技術的優點是，很好地解決常規手機充電電流的限制，由於充電器輸出電壓的提高，手機充電環路的阻抗限制的充電電流的問題得到了很好地解決，缺點是，效率仍不是很高，在手機端發熱量還比較大。

　　隨著高通QC3.0的釋出，很好的彌補了QC2.0效率偏低的問題。

　　充電速度是傳統充電方式的四倍，是Quick Charge 1.0的兩倍，比Quick Charge 2.0充電效率高38%。Quick Charge 3.0採用最佳電壓智慧協商（INOV）演算法，可以根據掌上終端確定需要的功率，在任意時刻實現最佳功率傳輸，同時實現效率最大化。另外，其電壓選項範圍更寬，移動終端可動態調整到其支援的最佳電壓水平。具體來說，Quick Charge 3.0支援更細化的電壓選擇：以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這樣，你的手機可以從數十種功率水平中選擇最適合的一檔。