三極體飽和問題總結：

1.在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和;倍數越大，飽和程度就越深。

2.集電極電阻越大越容易飽和;

3.飽和區的現象就是：二個PN接面均正偏，IC不受IB之控制

問題：基極電流達到多少時三極體飽和?

解答：這個值應該是不固定的，它和集電極負載、β值有關，估算是這樣的：假定負載電阻是1K，VCC是5V，飽和時電阻通過電流最大也就是5mA，用除以該管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那麼基極電流大於50μA就可以飽和。

對於9013、9012而言，飽和時Vce小於0.6V，Vbe小於1.2V。下面是9013的特性表：

問題：如何判斷飽和?

判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流IBS，然後再根據實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大於基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處於飽和狀態。

飽和的條件： 1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和;

                      2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現b較c電壓高的情況。

影響飽和的因素：1.集電極電阻：越大越容易飽和;

                             2.管子的放大倍數：放大倍數越大越容易飽和;

                             3.基集電流的大小;

飽和後的現象：1.基極的電壓大於集電極的電壓;2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右(假設e極接地)

談論飽和不能不提負載電阻。假定電晶體集-射極電路的負載電阻(包括集電極與射極電路中的總電阻)為R，則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著Ib的增大，Vce減小，當Vce<0.6V時，B-C結即進入正偏，Ice已經很難繼續增大，就可以認為已經進入飽和狀態了。當然Ib如果繼續增大，會使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對NPN型矽管而言。

另外一個應該注意的問題就是：在Ic增大的時候，hFE會減小，所以我們應該讓三極體進入深度飽和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當然這是以犧牲關斷速度為代價的。

注意：飽和時Vb>Vc，但Vb>Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據還是放大倍數，有的管子Vb>Vc時還能保持相當高的放大倍數。例如：有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和，Ic/Ib<1應該屬於深飽和了。

從電晶體特性曲線看飽和問題：前面說過：談論飽和不能不提負載電阻。現在再作詳細一點的解釋。

以某電晶體的輸出特性曲線為例。

如果電源電壓為V，負載電阻為R，那麼Vce與Ic受以下關係式的約束：Ic = (V-Vce)/R

在電晶體的輸出特性曲線圖上，上述關係式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”)。這條斜線稱為“靜態負載線”(以下簡稱負載線)。各個基極電流Ib值的曲線與負載線的交點就是該電晶體在不同基極電流下的工作點。見下圖：

圖中假定電源電壓為4V，綠色的斜線是負載電阻為80歐姆的負載線，V/R=50mA，圖中標出了Ib分別等於0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作點A、B、C、D、E、F。據此在右側作出了Ic與Ib的關係曲線。根據這個曲線，就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區，Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升，可以看出β值約為200。藍色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實際上，飽和是一個漸變的過程，藍色段也可以認為是初始進入飽和的區段。在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續向上延伸，與Ic=50mA的水平線相交，交點對應的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。

由圖可見，根據Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和;倍數越大，飽和程度就越深。

圖中還畫出了負載電阻為200歐姆時的負載線。可以看出，對應於Ib=0.1mA，負載電阻為80歐姆時，電晶體是處於線性放大區，而負載電阻200歐姆時，已經接近進入飽和區了。負載電阻由大到小變化，負載線以Vce=4.0為圓心呈扇狀向上展開。負載電阻越小，進入飽和狀態所需要的Ib值就越大，飽和狀態下的C-E壓降也越大。在負載電阻特別小的電路，例如高頻諧振放大器，集電極負載是電感線圈，直流電阻接近0，負載線幾乎成90度向上伸展(如圖中的紅色負載線)。這樣的電路中，電晶體直到燒燬了也進入不了飽和狀態。以上所說的“負載線”，都是指直流靜態負載線;“飽和”都是指直流靜態飽和。

用三極體需要考慮的問題：

1)耐壓夠不夠

2)負載電流夠不夠大

3)速度夠不夠快(有時卻是要慢速)

4)B極控制電流夠不夠

5)有時可能考慮功率問題

6)有時要考慮漏電流問題(能否“完全”截止)。

7)一般都不怎麼考慮增益

實際使用時，電晶體注意四個要素就行：-0.1~-0.3V振盪電路， 0.65-0.7V放大電路，0.8V以上為開關電路，β值中放、高放為30-40，低放60-80，開關100-120以上就行，不必研究其它的，研究它的共價鍵、電子、空穴沒用

Vce=VCC(電源電壓)-Vc(集電極電壓)=VCC-Ic(集電極電流)Rc(集電極電阻)。

可以看出，這是一條斜率為-Rc的直線，稱為“負載線”。當Ic=0時，Vce=Vcc。當Vce=0時(實際上正常工作時Vce不可能等於0，這是它的特性決定的)，Ic=Vcc/Rc。也就是說，Ic不可能大於這個數值。對應的基極電流Ib=Ic/β=Vcc/βRc，這就是飽和基極電流的計算公式。

飽和分臨界飽和和過度飽和兩種狀態。當Ib=Vcc/βRc時，三極體基本處於臨界飽和狀態。

當基極電流大於此值的兩倍，三極體就基本進入深度飽和狀態。三極體深度飽和和臨界飽和的Vce差很大。臨界飽和壓降大，但退出飽和容易;深度飽和壓降小但不容易退出飽和。所以，不同用途選擇的基極電流是不一樣的。

還有，飽和壓降和集電極電流有直接關係。集電極電阻越小，飽和集電極電流就越大，飽和壓降越大。反之也相反(集電極電阻越大，飽和集電極電流就越小，飽和壓降越小)。如果集電極電流5毫安時三極體飽和，9013、9012之類的飽和壓降一般不超過0.6伏。基極電流超過兩倍Vcc/βRc時，一般飽和壓降就小到0.3V左右了