快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN接面型結構，有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體（1-2V）(此處為什麼不提是什麼材料？)，反向耐壓多在1200V以下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。

　　肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體(SchottkyBarrierDiode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）（用這個方法可以判斷出該器件）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。

　　這兩種管子通常用於開關電源。

　　肖特基二極體和快恢復二極體區別：前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~！

　　前者的優點還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當然都是二極體阿~！

　　快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.

　　肖特基二極體：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢復時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN接面大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。

　　快恢復二極體：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.

　　想問一下，為何會有反向恢復時間

　　肖特基二極體和快恢復二極體又什麼區別？

　　對於高頻開關電源來說,由於頻率很高(相位變換)當正半周時二極體正篇導通此時無影響,如果肖特基二極體反向恢復比較慢時,當負半周到來由於肖特基二極體還沒有從正偏時的導通狀態變成截止相當於短路就等於是負半周的電壓與正半周的電壓疊加在肖特基二極體兩端,由於頻率很快,反向的時間就很短(等同與短路時間很短)所以一般情況下肖特基二極體不會立即燒掉,而是將短路的能量消耗在肖特基二極體的壓降所以造成發熱嚴重,同時整流的效果大大的降低