關於塊裝置與nand flash的初步小結
塊裝置驅動的框架：
呼叫過程自上而下為：應用程式讀寫檔案—>虛擬檔案系統（ext3, yaffs2, jffs2）—>由ll_rw_block函式轉換成扇區的讀寫—>塊裝置驅動程式—>讀寫硬體
塊裝置驅動程式提供一個佇列，將讀操作和寫操作放入佇列內，並且在佇列中優化讀寫順序使得讀寫佔用時間減小（這就是為什麼有時候讀的資料可能並不是真正從磁碟上讀來的而是cache中），裝置驅動另外必要的功能就是要註冊裝置。原理上字元裝置也同樣可以對字盤讀寫，只是少了塊裝置驅動那樣的電梯排程演算法。
塊裝置驅動中重要的資料結構：
struct gendisk：可使用函式alloc_disk分配；
一個簡單的塊裝置驅動需要給以下結構體內的值進行賦值：
struct gendisk {
/* major, first_minor and minors are input parameters only,
* don't use directly. Use disk_devt() and disk_max_parts().
*/
…………
struct request_queue *queue;//使用blk_init_queue函式設定佇列，佇列中包括讀寫的操作
int major; /* major number of driver *///使用register_blkdev註冊到一個主裝置號
int first_minor;
int minors; /* maximum number of minors, =1 for
* disks that can't be partitioned. */
char disk_name[DISK_NAME_LEN];/* name of major driver */
struct block_device_operations *fops;
struct hd_struct part0;//使用set_capacity函式設定有多少個扇區
…………
};
最後註冊gendisk,使用函式:add_disk函式。
對以上相關的結構體進行反註冊的函式有：unregister_blkdev(major, "blockdisk");del_gendisk(block_disk);put_disk(block_disk);blk_cleanup_queue(block_queue);
關於除錯塊裝置的相關命令：
mkdosfs：第一次使用一塊塊裝置需要對其進行格式化；fdisk對一個塊裝置進行分割槽。
nand flash的驅動相關：
nand flash硬體：
如果所示：
其中：
I/O0 ~ I/O7：用於輸入地址/資料/命令，輸出資料；
WP#：Write Protect，防寫；
WE#：Write Enable，寫使能, 在寫取資料之前，要先使WE＃有效；
ALE：Address Latch Enable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式暫存器中，設定ALE使能；
CLE：Command Latch Enable，命令鎖存使能，在輸入命令之前，要先在模式暫存器中，設定CLE使能；PS：當ALE和CLE都不使能的時候表示當前傳輸的是資料；
CE#：Chip Enable，片選使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此晶片，才能操作；
RE#：Read Enable，讀使能，在讀取資料之前，要先使CE＃有效；
R/B#:Ready/Busy Output，就緒/忙，主要用於在傳送完程式設計/擦除命令後，檢測這些操作是否完成,忙,表示程式設計/擦除操作仍在進行中，就緒表示操作完成；
S3C2440中NFCONF中三個比較重要的引數：
TACLS、TWRPH0、TWRPH1：S3C的資料手冊如下：
如上圖可猜測：
TACLS為CLE/ALE使能至nFRE/nFWE使能之間的時間段；TACLS設值範圍0-3，持續時間的公式為TACLS*HCLK
TWRPH0為nFRE/nFWE使能的時間段；TWRPH0設值範圍0-7，持續時間的公式為（TWRPH0+1）*HCLK
TWRPH1為nFRE/nFWE不使能至CLE/ALE不使能的時間段；TWRPH1設值範圍0-7，持續時間的公式為（TWRPH1+1）*HCLK
查閱NAND FLASH的資料手冊：
觀察時序圖以及下圖可以發現：
TACLS：對應於nand flash手冊中時序圖(tCLS-tWP)和(tALS-tWP)這兩個值中的較小的那個。12ns-12ns=0。所以TACLS可設定為0。
TWRPH0：對應於nand flash手冊中時序圖tWP和tRP這兩個值中的較小的那個。（tRP也是12ns，未截圖）。12ns。假設HCLK為100Mhz，根據公式（TWRPH0+1）*HCLK=12ns，可算得TWRPH0=1.2=2。
TWRPH1：對應於nand flash手冊中時序圖tCLH和tALH這兩個值中的較小的那個。同上。
關於S3C中對NAND FLASH操作的暫存器：
nfconf ;0x4E000000
nfcont ;
nfcmd ;
nfaddr ;
nfdata ;
nfeccd0 ;
nfeccd1 ;
nfeccd ;
nfstat ;
nfestat0;
nfestat1;
nfmecc0 ;
nfmecc1 ;
nfsecc ;
nfsblk ;
nfeblk ;
關於NAND FLASH驅動的基本框架：
基本的結構體：
struct nand_chip、struct mtd_info、struct mtd_partition
nand_chip結構體中需要滿足的結構體成員：
select_chip //為片選NAND FLASH的操作函式
cmd_ctrl//為傳送命令或者地址的操作函式（把資料放入CMD暫存器還是ADD暫存器）
IO_ADDR_R //為讀資料的暫存器
IO_ADDR_W//為寫資料的暫存器
dev_ready//為檢測nand flash是否忙的函式
ecc.mode//為是否ECC校驗的標誌位如NAND_ECC_SOFT或者NAND_ECC_NONE等
mtd_info結構體中需要滿足的結構體成員：
owner //THIS_MODULE;
priv = s3c_nand;//指向nand_chip的結構體，用於nand_scan識別nand flash用。
識別之後註冊分割槽add_mtd_partitions函式。（反註冊函式del_mtd_partitions）。
PS：過程中需要使能NAND FLASH控制器的時鐘，使用函式clk_get、clk_enable。
以上完成了nand flash塊裝置的初始化，其中呼叫的函式中肯定呼叫了一開始說的那些函式，底層裝置的初始化都會一步步呼叫到上層的函式，因為初始化完成之後就可以用應用程式對其訪問。
NOR FLASH:
上圖可得其資料位有16位，地址位有22位除去兩位NC為22位，2^20=1024*1024，由資料位為16位可得，總共容量有2Mb（這樣我們也大概清楚為什麼nand不用這樣的匯流排定址了，因為容量太大線太多了）。
關於為什麼是LADDR1接A0而不是LADDR0接，是因為S3C2440每個地址的容量為一個位元組而非此NOR中兩個位元組，為了讓這樣一倍的差距對應起來，如果ARM程式中匯流排的地址為0x2而對應NOR中的地址就是0x1，如果匯流排地址為0x3那麼NOR中還是0x1，因為0x2、0x3兩個地址的值都位於地址為0x1的16位寄存值中。
nor程式設計系統框架：
結構體：map_info、s3c_nor_parts
函式：
simple_map_init、do_map_probe、add_mtd_partitions
參考文章：
http://blog.csdn.net/juana1/article/details/6577556
http://funexploit.readthedocs.org/en/latest/sources/embeddedsystem.html