EEPROM讀寫及資料管理
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有關E2PROM操作、保護、失效等一些問題，（才疏學淺，路過的英雄記得補刀）1）有關 晶片內部自帶的E2PROM有的資深的工程師可能不是很願意用MCU自帶的E2PROM，大概是這些傢伙上過什麼當、受過騙還是什麼的。簡單說一下優缺點吧：
(1)片內整合的感覺挺便宜的，和MCU一起賣的，對成本要求嚴格的，寫次數很少的場合一般會考慮，至少能省個2、3毛錢吧；(2)缺點的話，可能擦寫次數、穩定性沒有外掛的專用晶片厲害；
2）有關常用的外掛E2PROM
如果是學生或者剛從學生時代走來的人們，大概也就知道ATMEL 24C0X系列吧，就好像我畢業的時候以為世界只有51和AVR，開個玩笑！工程師主要考察E2PROM的引數無非就是擦寫次數、功耗、穩定性、價格，其中10萬次擦寫次數和 100萬次擦寫次數正在較量，至於從工程師的角度考慮 擦寫次數自然是沒有上限最好，太低的擦寫次數會讓程式設計師死很多腦細胞。3）
(1)操作注意事項：分頁操作需要有5ms延遲等待時間才可以(以類AT24C04的產品為例)，也就是模組化程式設計中，在寫資料之前、寫資料完畢後、度資料之前、讀資料之後都需要考慮加5ms的延時時間。本來IIC的讀寫速率就不是很高，外加這些延遲一定會勢必影響系統設計的實時性，但也不得不從讀寫效能的角度出發。
(2)上拉電阻的選擇：出於穩定性考慮，WP、SDA、SCL引腳都會設定上拉電阻，常用的電阻值為 4.7K 、10K電阻，個人比較推薦4.7K。
(3)硬體IIC與軟體模擬IIC的比較：對MCU資源不是很敏感的應用，都會考慮軟體模擬的方式，畢竟這個移植起來真的很方便，只有第一做軟體部分的時序、保護性設計作為足夠好，後面拿過來修改時鐘就可以直接，確實方便。
(4)預設引數的寫入
(5)資料容錯和管理：把資料以有意義的資料塊作分類管理,在資料的塊的頭、位加固定標識和CS/CRC校驗 模式，格式如
| 資料塊開始字 | 資料長度 | 資料 | 校驗 | 結束 |
| 0xA5 | Length | Byte0---ByteN | CS/CRC | 0x5A |
實際用於產品中，可以挑選這個格式內容裡面的部分內容使用，比如去掉結束符等。個人之所以建立寫入開始字、結束字，原因是方便最好讀出來的資料做資料格式檢查，確認寫入、讀出的資料可靠性最高。 為增強實際的可靠性，在需要寫入的時候，可以在寫入後，再讀出來進行資料的比對，確認寫入是否正確；或者在需要讀出的時候，讀兩次、或者多次，檢查每次的資料是否一致。 對於出現異常的資料，最好有容錯機制，可以回到預設狀態值，不至於系統此時因為某個引數改變的崩潰。
(6)實際底層操作是否需要關閉主程式的中斷
(7)E2PROM擦寫次數的延長： 如果現在手上的E2PROM的擦鞋次數是10萬次，專案要求為100萬次，且E2PROM內有很多空閒位元組的沒有使用。
可以這樣操作，將資料整理好，以資料塊的方式儲存，一組資料分10個塊地址儲存，每次寫完後轉移到下一塊寫，即10次寫操作中每個物理的資料儲存地址只操作了1次。 注意此時的寫塊資料的指標不能單獨存、操作，不然這個位元組的操作頻率高，也就受到10萬次的限制，這個關鍵的鏈子在10萬次的時候掉了，其他位元組也就掛了。這個表徵操作哪個塊的指標或者說標示符，當然也需要是移動的，至於具體怎麼實現，就是見仁見智的事了。轉自：http://blog.chinaunix.net/uid-20589269-id-1622153.html
最近用Mega16做一個步進電機的專案，以後把專案全部的內容貼上來跟大家分享呵呵，現在討論一個防止EEPROM讀寫出錯的小辦法，我編寫熔絲位是用AVRstudio裡面的Jtag下載功能來燒熔絲位的，連上Jtag，AVRstudio的Jtag功能fuse選項裡，把熔絲位中的Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle鉤上，Brown-out detection level at VCC=4.0V鉤上，Brown-out detection enabled鉤上，就可以解決讀寫EEPROM時出錯的機會了。
如果再加上用直接地址訪問法，而不用變數定義法，會更好的避免EEPROM讀寫問題，例如我就定義了
//定義eeprom變數的地址
#define eeprom_step_num 0xA0
#define eeprom_step_r_max 0xB0
#define eeprom_step_l_max 0xC0
然後程式就沒有再跑飛了！^_^
在其它論壇上還有一些討論EEPROM讀寫錯誤的貼，我節選了一些，留作參考：
EEPROM掉電丟資料這個特點可不是AVR獨有的。很多年前在89C51+24C02的系統裡面就遇到過，我不知道鐵電有什麼比24C02更牛的地方，居然能保證不丟資料。原因很簡單，就是掉電過程中，電壓降低到MCU無法正常工作的程度，程式跑飛了，微控制器引腳狀態完全不可控，某次掉電就可能發出錯誤的寫24C02的指令。上電的時候因為RESET處於有效狀態，MCU引腳狀態完全確定（對於51來說就是全1），是不可能誤操作24C02的。解決方案很簡單，加一片MAX813L，當電壓低於4.6V就鎖定89C51，問題徹底解決。這麼多年也沒見24C02被誤改寫。
最早的一批AVR內建了EEPROM卻沒有BOD，所以EEPROM被誤改寫是家常便飯，ATMEL很快發現了這個問題，新推出的AVR全都含有BOD樂。AVR的情況比較複雜，振盪方式和復位方式都有多種，所以不僅掉電會改寫EEPROM（原因同上），上電也會！RESET過程結束前，必須有若干XTAL，MCU內部暫存器（包括軟體不可見的）才會清零，如果RESET結束了才來時鐘，上電就是程式亂飛，同樣有可能改寫EEPROM。用RC振盪方式問題不大，有電就能振起來，用石英晶體就會出問題，我測過89C51的，上電後20ms才振起來，如果電源上有大的濾波電容，VCC的上升斜率變小，晶體起振時間會變得更長！有儲存示波器的朋友可以自己測一下，對晶振的起振有個感性認識。
我遇到過的問題，m8裡面有寫eeprom的程式段，資料已經寫入到eeprom了。
不停的開關電，eeprom裡的值有可能隨機改變，不見得是0x00,0xFF
原因是不是上電時，程式指標跑飛到寫eeprom那段，導致往eeprom隨機地址寫了隨機數。
後來，採用isp下載2次程式，最後版本的程式是刪除了寫eeprom程式段，保留讀eeprom段。
這樣的話，開關電很多次，裡面的eeprom沒見有改動。
如果系統實際執行時，需要對eeprom寫操作，可考慮存多幾次資料，用校驗方法來處理資料改變。
偶的應用一般要用到EEPROM儲存的資料比較少，一般採取反碼冗餘備份校驗的方式，需要儲存的資料按照原碼和反碼存兩份，需要讀取時分別讀取原碼和反碼，進行校驗，若校驗不通過，則根據一定的演算法恢復資料或者採取預設值.
我遇到過的問題，m8裡面有寫eeprom的程式段，資料已經寫入到eeprom了。
不停的開關電，eeprom裡的值有可能隨機改變，不見得是0x00,0xFF
我也是一樣BOD使能 就OK了 不過我還是不放心，我用兩份資料，最後加校驗，啟動的時候讀eeprom資料 如果有異常 檢測出錯誤資料組，然後用正確的恢復。如果兩組資料均遭毒手，用flash裡面的預設資料覆蓋。
一般我在eeprom裡間三分拷貝，位置隔的比較遠
以下是馬潮老師的解決辦法：
作為一個正式的系統或產品，當系統基本功能除錯完成後，一旦進行現場測試階段，請注意馬上改寫熔絲位的配置，啟用AVR的電源檢測（BOD）功能。
對於5V系統，設定BOD電平為4.0V；對於3V系統，設定BOD電平為2.7V。然後允許BOD檢測。
這樣，一旦AVR的供電電壓低於BOD電平，AVR進入RESET（不執行程式了）。而當電源恢復到BOD電平以上，AVR才正式開始從頭執行程式。保證了系統的可靠性！
原因分析如下：
AVR是寬電壓工作的晶片，當電壓跌至2.5V，系統程式還能工作。這是有2個可怕的現象可能出現，
1。外圍晶片工作已經混亂，AVR讀到的東西不正確，造成程式的執行發生邏輯錯誤（不是AVR本身的原因）。
2。當電源低到臨界點，如2.4V時，並且在此互上互下的，AVR本身的程式執行也不正常，取指令、讀資料都可能發生錯誤，或程式亂飛、不穩定（AVR本身的原因，實際任何的微控制器都是這樣的），非常容易造成EEPROM、FALSH的破壞。有人問51怎麼不會？實際上51也是這樣，只是51內部沒有直接寫EEPROM、FLASH的指令，它的程式亂飛留不下痕跡。還有人有疑問：外掛EEPROM，掉電時怎麼不會改寫？實際是外掛EEPROM，當電壓低於4V（2.7V）時，它已經不工作了，程式去改內容也改不了。而AVR內部的東西在臨界電壓時都能工作，但非常不穩定。
AVR的BOD功能必須要使用，我早期使用51時，凡是產品外部都要使用電源監測晶片，現在AVR自己本身就有該功能，一定要使用。