STM32本身沒有內建eeprom，但是STM32具有IAP(在應用程式設計)功能,我們可以將flash當作eeprom使用。

不同容量的STM32，其flash容量也不同。STM32c8t6內部flash為64K。

STM32 的快閃記憶體模組由：主儲存器、資訊塊和快閃記憶體儲存器介面暫存器等 3 部分組成

1. 主儲存器，該部分用來存放程式碼和資料常數（如 const 型別的資料）。對於大容量產品，其
   被劃分為 256 頁，每頁 2K 位元組。注意，小容量和中容量產品則每頁只有 1K 位元組。從上圖可以
   看出主儲存器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的時候，就是從 0X08000000
   開始執行程式碼的
2. 資訊塊，該部分分為 2 個小部分，其中啟動程式程式碼，是用來儲存 ST 自帶的啟動程式，
   用於串列埠下載程式碼，當 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的時候，執行的就是這部分程式碼。使用者選擇字
   節，則一般用於配置防寫、讀保護等功能
3. 快閃記憶體儲存器介面暫存器，該部分用於控制快閃記憶體讀寫等，是整個快閃記憶體模組的控制機構。對主儲存器和資訊塊的寫入由內嵌的快閃記憶體程式設計/擦除控制器(FPEC)管理；程式設計與擦除的高電壓由內部產生。
4. 特別留意一個快閃記憶體等待時間，因為 CPU 執行速度比 FLASH 快得多，STM32F103
   的 FLASH 最快訪問速度≤24Mhz，如果 CPU 頻率超過這個速度，那麼必須加入等待時間，比
   如我們一般使用72Mhz的主頻，那麼FLASH等待週期就必須設定為2，該設定通過FLASH_ACR
   暫存器設定。

例如，我們要從地址 addr，讀取一個半字（半字為 16 為，字為 32 位），可以通過如下的
語句讀取：

    data=*(vu16*)addr;

快閃記憶體的程式設計和擦除：

      STM32 的快閃記憶體程式設計是由 FPEC（快閃記憶體程式設計和擦除控制器）模組處理的，這個模組包含 7 個
      32 位暫存器，他們分別是：
  FPEC 鍵暫存器(FLASH_KEYR)
  選擇位元組鍵暫存器(FLASH_OPTKEYR)
  快閃記憶體控制暫存器(FLASH_CR)
  快閃記憶體狀態暫存器(FLASH_SR)
  快閃記憶體地址暫存器(FLASH_AR)
  選擇位元組暫存器(FLASH_OBR)
  防寫暫存器(FLASH_WRPR)

     STM32 復位後，FPEC 模組是被保護的，不能寫入 FLASH_CR 暫存器；通過寫入特定的序
      列到 FLASH_KEYR 暫存器可以開啟 FPEC 模組（即寫入 KEY1 和 KEY2），只有在防寫被解除後，我們才能操作相關寄         存器。

     STM32 快閃記憶體的程式設計每次必須寫入 16 位（不能單純的寫入 8 位資料哦！），當 FLASH_CR 寄
     存器的 PG 位為’1’時，在一個快閃記憶體地址寫入一個半字將啟動一次程式設計；寫入任何非半字的數
     據，FPEC 都會產生匯流排錯誤。在程式設計過程中(BSY 位為’1’)，任何讀寫快閃記憶體的操作都會使 CPU
     暫停，直到此次快閃記憶體程式設計結束。

     STM32 的 FLASH 在程式設計的時候，也必須要求其寫入地址的 FLASH 是被擦除了的
  （也就是其值必須是 0XFFFF），否則無法寫入，在 FLASH_SR 暫存器的 PGERR 位將得到一個警告。