在 STM8L151G6U6中可支援位元組擦寫和塊擦寫，塊擦寫可一次擦寫很所位元組。位元組擦寫比較簡單，需要注意的是塊擦寫，在塊擦寫中，需要配置一個地方。

對於IAR來說，
Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution from RAM through the specific __ramfunc keyword.
之後可在程式中呼叫Flash_BlockProgram();來進行塊擦寫。
在main函式前要做以下宣告：

 #ifdef _RAISONANCE_
/* needed by memcpy for raisonance */
#include <string.h>
extern int __address__FLASH_EraseBlock;
extern int __size__FLASH_EraseBlock;
extern int __address__FLASH_ProgramBlock;
extern int __size__FLASH_ProgramBlock;
#endif /*_RAISONANCE_*/

 /* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
 

 /* Declare _fctcpy function prototype as it is packaged by default in the Cosmic
machine library */
#ifdef _COSMIC_
int _fctcpy(char name);
#endif /*_COSMIC_*/

之後可使用下面函式來進行擦寫到epprom中，

void Flash_WriteDataBlock(uint8_t block_count, uint8_t *Buffer)
{
    FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);//可以擦寫EEPROM或Flash:FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Program);
 

    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET)
    {}
    FLASH_ProgramBlock(block_count, FLASH_MemType_Data, FLASH_ProgramMode_Standard, Buffer);

    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
    {}
    //FLASH_WaitForLastOperation();
    FLASH_Lock(FLASH_MemType_Data);
}

之後編譯即可，不知道是否要將工程設定為支援C標準庫，可能要，測試成功的工程是做了這個設定的，大家也可以自己做一下測試