MOS管積體電路特點：

　　製造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，整合度高、抗干擾能力強，特別適合於大規模積體電路。

　　MOS管積體電路包括:

　　NMOS管組成的NMOS管電路、PMOS管組成的PMOS管電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

　　PMOS管閘電路與NMOS管電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。

　　數位電路中MOS積體電路所使用的MOS管均為增強型管子，負載常用MOS管作為有源負載，這樣不僅節省了矽片面積，而且簡化了工藝利於大規模整合。常用的符號如

　　圖1所示。

　　N溝MOS管

　　金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的電晶體簡稱MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的積體電路稱為MOS管積體電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS管積體電路即為CMOS管積體電路。

　　由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大於閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

　　NMOS管積體電路是N溝道MOS電路，NMOS積體電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS管與NMOS積體電路連線時不必考慮電流的負載問題。NMOS管積體電路大多采用單組正電源供電，並且以5V為多。CMOS管積體電路只要選用與NMOS管積體電路相同的電源，就可與NMOS積體電路直接連線。不過，從NMOS到CMOS直接連線時，由於NMOS輸出的高電平低於CMOS管積體電路的輸入高電平，因而需要使用一個（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。

　　N溝道增強型MOS管的結構

　　在一塊摻雜濃度較低的P型矽襯底上，製作兩個高摻雜濃度的N+區，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。

　　然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

　　在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連線好)。

　　它的柵極與其它電極間是絕緣的。

　　圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。