NAND FLASH的壞塊處理方式有很多，不同的方案公司或者系統提供商都會選擇不同的壞塊處理方法，來滿足產品開發的需要，目前我們公司已經根據客戶的要求，解決了近百種的壞塊處理方案。並且將常用的三種壞塊處理方案，整合到燒錄演算法裡面。
  本文件以K9F1208U0B為例，詳細闡述了SUPERPRO5000下NAND FLASH的燒錄方法。

2．NAND Flash 的壞塊和壞塊標誌。

   由於製造工藝的原因，NAND Flash 在生產過程中可能會產生壞塊，壞塊在出廠前將會被標記。對於壞塊而言，儲存的資訊可能會丟失，不能正常使用。另外在NAND Flash擦除或者程式設計過程中，出現操作失敗後，表示該塊不能正常使用，也應標記成壞塊。所以在一般情況下，在操作NAND Flash之前，先要檢查一下要操作的是否是壞塊，以免壞塊標記被破壞。此外，為了保證儲存資訊的可靠性，從NAND Flash中讀取的資料還可以引入ECC校驗，ECC碼一般存放在該頁的spare區。關於ECC，詳細介紹見下一章。
  小頁模式的NAND Flash(8bit)的壞塊標誌(BM)一般放在每個block第一頁和第二頁的第6個位元組。
  Spare區：

   小頁模式的NAND Flash(16bit)的壞塊標誌(BM)一般放在每個block第一頁和第二頁的第1個字(雙位元組)。

  Spare區：

  大頁模式的NAND Flash(8bit)的壞塊標誌(BM)一般放在每個block第一頁和第二頁的第1個位元組。

Spare區：

  大頁模式的NAND Flash(16bit)的壞塊標誌(BM)一般放在每個block第一頁和第二頁的第1個字(雙位元組)。
  Spare區：

  一般情況下壞塊標誌(BM)處為0xFF或者0xFFFF表示好塊，非0xFF或者0xFFFF代表壞塊。
  小頁模式的NAND Flash(8bit)的壞塊標誌(BM)處會出現下面的情況。我們在總結多個廠商的要求後也把它作為一種壞塊標誌進行了整合化處理。
   Spare區：

  其中OEM Reserved 標誌：為OEM 系統保留塊(比如NBOOT,TOC,EBOOT使用),一般可以對外界表示這段程式碼區為只讀屬性。
  BM標誌：為0x00當前塊為壞塊，為0xFF, 當前塊為好塊，但如果此時的OEM Reserved標誌處為設定的值的話，此處BM標誌為0x00,在燒錄過程中做好塊。此設定在器件配置字中如下(Figure 3)：
  如圖，表示OEM Reserved的值為0xFC,在這種設定下，當判斷到BM標誌為0x00時，前面的OEM Reserved的值讀出為0xFC時，在燒錄過程中判斷其為好塊。

3.常用的三種壞塊處理方法

A) 跳過壞塊 (Skip bad block)。

(Figure 4)

這是一種最常用的壞塊處理方法。它的實現原理比較簡單，順序燒錄，發現某一塊為壞塊後，將相應資料燒錄到下有個好塊，如果發現連續的壞塊的話，也連續的跳過這些壞塊，並把資料燒錄的下一個出現的好塊中。其原理如下圖(Figure 5)。

  採用這種燒錄方法，要關注提示2的設定，以便對NAND的儲存區域進行更靈活的訪問。
  其中UBA start blk(hex): 指定檔案從那個塊開始燒錄，Size of UBA blks(hex): 的內容表示燒錄的檔案佔用多少個好塊，例如：燒錄晶片K9F1208U0B，燒錄的檔案包含spare區的內容。燒錄檔案的大小為19M整,燒錄的起始塊為第0塊。K9F1208U0B為小頁模式的NAND,每個塊包含spare區的大小為0x4200Bytes = 16896(dec)Bytes。那麼要燒寫的block = 19*1024*1024/16896 = 1179.15，取整為1180(dec) = 0x49C.所以UBA start blk(hex): 0000, Size of UBA blks(hex): 0x49C。
  注：如果小頁模式不包含spare區的內容，則每個塊的大小為0x4000Bytes. 大頁模式包含spare區的內容，每個塊的大小為0x21000Bytes,大頁模式不包含spare區的內容，每個塊的大小為0x20000.
  採用這種燒錄方法的話，壞塊標誌位是不允許寫成非“0xFF”或者“0xFFFF”(16bit)，所以在緩衝區(buffer)中的資料,在燒錄過程中，壞塊標誌為都被強制改寫0xFF或者0xFFFF。 具有OEM Reserved值的情況下，如果壞塊標誌的處的值滿足其判斷要求，將不作強制修改。
B) 硬拷貝 (Hard Copy)。

  Hard Copy的方法在讀寫過程中，沒有判斷壞塊，而是把它當成一般的Flash進行處理的。但在燒寫過程，由於壞塊的存在，導致對應的資料無法燒寫進去，所以在一般情況下，我們不推薦使用這種方式燒寫NANDFLASH。
  不過在讀取晶片(母片)的時候，有時候我們並不清楚該晶片的壞塊標誌位是不是被改變，不清楚該晶片用的是什麼壞塊處理方法，我們還是推薦採用這種方法讀晶片內容。這種方法可以讀出晶片的完全內容，以便進行下一步分析，或者直接拷貝。在讀取晶片完全內容時，例如讀取晶片K9F1208U0B,該晶片共有4096(0x1000)個block。那麼在器件配置字中要設定Size of UBA blks(hex) : 1000 。這樣讀取的時候就把所有塊的內容讀出來。
  用這種方法之間拷貝晶片的時候，要儘量確保目標的晶片是沒有壞塊的晶片，才能保證拷貝的成功率。