include “sram.h”

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//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
//對IS61LV25616/IS62WV25616,地址線範圍為A0~A17
//對IS61LV51216/IS62WV51216,地址線範圍為A0~A18

define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))

//初始化外部SRAM
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;               //PORTD複用推輓輸出  1111 1111 0011 0011
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;          //複用推輓輸出
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);


GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;               //PORTE複用推輓輸出 1111 1111 1000 0011
GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;               //PORTD複用推輓輸出 1111 0000 0011 1111
GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;               //PORTD複用推輓輸出 0000 0100 0011 1111
GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);


readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;    //地址建立時間（ADDSET）為1個HCLK 1/36M=27ns
readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;     //地址保持時間（ADDHLD）模式A未用到 
readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;       //資料保持時間（DATAST）為3個HCLK 4/72M=55ns(對EM的SRAM晶片)  
readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;            //資料產生時間
readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;     //模式A 操作時序



FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;            //  這裡我們使用NE3 ，也就對應BTCR[4],[5]。
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;      //地址資料不復用
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;           //   FSMC_MemoryType_SRAM儲存器型別為SRAM
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;     //儲存器資料寬度為16bit  
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;     // 關閉突發模式訪問 
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;  //等待訊號優先順序，只有在使能突發訪問模式才有效
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;   
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;              //關閉Wrapped burst access mode，只有在使能突發訪問模式才有效
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;    //等待訊號設定，只有在使能突發訪問模式才有效
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;         //儲存器寫使能 
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;                   //使能/關閉等待資訊設定，只在使能突發訪問模式才有效
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 讀寫使用相同的時序
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫操作時序引數
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //讀寫同樣時序

FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3                                         
 

}

//在指定地址開始,連續寫入n個位元組.
//pBuffer:位元組指標
//WriteAddr:要寫入的地址
//n:要寫入的位元組數
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n–)
{
(vu8)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr++;
pBuffer++;
}
}
//在指定地址開始,連續讀出n個位元組.
//pBuffer:位元組指標
//ReadAddr:要讀出的起始地址
//n:要寫入的位元組數
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n–)
{
pBuffer++=

(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr++;
}
}
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//測試函式
//在指定地址寫入1個位元組
//addr:地址
//data:要寫入的資料
void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫入1個位元組
}
//讀取1個位元組
//addr:要讀取的地址
//返回值:讀取到的資料
u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
{
u8 data;
FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
return data;
}