NandFlash的分類：

         根據物理結構上的區別，NandFlash主要分為以下兩種：

                   SLC(SingleLevel Cell)：單層式儲存

                   MLC(MultiLevel Cell)：多層式儲存

                   SLC在儲存格式上只存一位（bit）資料，而MLC則存放兩位資料。

根據NandFlash每頁（頁的概念在後面有介紹）儲存位元組數，NandFlash分大頁和小頁兩種，大頁就是每一個Page有2k 或4k位元組，小頁就是一個Page只有512位元組。

s3c2410通常使用小頁NandFlash，s3c2440通常使用大頁NandFlash。s3c2440為了支援大頁NandFlash，它的NandFlash控制器相對於s3c2410的NandFlash控制器要多幾個暫存器，所以在移植uboot到s3c2440的過程中，基於2410的NandFlash程式碼改動會涉及到暫存器的修改。

NandFlash的結構：

         手冊中有（我的NandFlash晶片為K9F2G08U0C）：

Features中講到Page、Block，這些東西是什麼呢？如下：

從上面的圖中可以看到：一塊NandFlash可以劃分為2048個塊，一個塊分為64個頁，一頁分為2k+64位元組的兩個區，2k存放有效資料，64位元組儲存校驗資訊等。

這種劃分的形式在任何NandFlash中都是一樣的。只是說塊數、頁數、每頁大小可能不一樣。

Row Address - 行地址可以簡單的認為是頁號

Column Address - 列地址相當於在一個頁內的偏移地址。

有了頁號和偏移地址便能正確的訪問到每個儲存單元。

NandFlash的訪問：

         觀察開發板的原理圖：

可以發現NandFlash的接線沒有一根是s3c2440的資料匯流排addr(n)，這也就說明了s3c2440不能像操作NorFlash/SDRAM一樣直接使用絕對地址訪問NandFlash空間。也就是說NandFlash的訪問是獨立於ARM定址空間的，NandFlash使用獨立編址。

         NandFlash的程式設計應該嚴格參照NandFlash資料手冊的時序來操作訊號線（CLE、ALE、CE、R/B等），操作每個時序訊號都是有時序關係的，導致在操作和使用上都不方便，所以三星給s3c2440增加了NandFlash控制器，程式設計操作NandFlash的時候只需要往幾個暫存器（配置NandFlash控制器）中寫入特定的值即可控制NandFlash。

         回過頭來觀察電路圖，NandFlash的接線中能傳輸資料的只有LDATA0~LDATA7這8根資料線，地址和資料都是通過這8根線和s3c2440互動的。地址資料有32位（4位元組），在傳輸地址時是分5次傳輸的（不是4次）。如下：

第一次傳輸A0~A7          Column Address

第二次傳輸A8~A11                   Column Address

第三次傳輸A12~19                 Row Address

第四次傳輸A20~A27               Row Address

第五次傳輸A28                          Row Address

NandFlash訊號引腳：

CLE(CommandLatch Enale)：命令鎖存允許

ALE(AddressLatch Enable)：地址鎖存允許

CE：晶片選擇

RE：讀允許

WE：寫允許

WP：在寫或擦除期間，提供防寫

R/B：讀/忙

ALE：地址鎖存  ALE = 1，data0-data7上傳輸的是地址

CLE：命令鎖存  CLE = 1，data0-data7上傳輸的是命令

都是0的時候data0-data7上傳輸的是資料

NandFlash初始化：

         在讀/寫NandFlash前，都需要先對NandFlash初始化，所謂初始化就是配置一些必要的時序，開啟s3c2440手冊NandFlash Controller可以看到第一個暫存器是NFCONF：

可以看到這個暫存器需要配置三個域，TACLS、TWRPH0、TWRPH1，這三個值怎麼設定呢？看下面的分析：

其中：t2 = TCLS - twp。要想讓NandFlash工作必須給NandFlash給這三個時間提供合理值。取值表在NandFlash晶片手冊中有說明：

提供至少最小值以上的值才能正常工作。我們的是3.3V的NandFlash晶片。

所以：

t1（twp）最小12ns

t2 = TCLS – twp= 12-12 = 0ns

         t3（TCLH）最小5ns

確定最小值以後找到2440手冊的時序：

對照兩張時序圖可以發現：t2就是TACLS，t1是TWRPH0，t3是TWRPH1.所以便得到了需要配置的三個域的最小值了。

因為NandFlash使用的是HCLK，而我們使用的HCLK是100MHz，就是說一次時鐘脈衝10ns。

TACLS最小0ns

         TWRPH0最小12ns

         TWRPH1最小5ns

根據三個域的說明：

所以：

                   10ns* TACLS > 0ns   所以TACLS取1即可

                   10ns* (TWRPH0+1) >12ns 所以TWRPH0取1或2即可

                   10ns* (TWRPH1+1)>5ns 所以TWRPH1取1即可

         以上三個值再取大一點都是可以的，只要比最小值大就行。

配置暫存器NFCONT：

因為在未初始化時，不需要片選，所以需要disable chip Select

         在對NandFlash控制器做配置後通常需要對控制器做復位操作：

         在NandFlash晶片手冊中找到復位操作：

         所以復位操作應有如下步驟：

1、  選擇nand（片選），這是每一個NandFlash操作都要做的

2、  清除RnB，因為需要等待RnB訊號

3、  傳送命令0xff

4、  等待RnB

5、  取消片選

程式碼實現：

下一節NandFlash操作詳解（二）