STM32與DS1302設計時鐘晶片，超詳細
阿新 • • 發佈：2019-02-17
上圖左邊為暫存器和RAM的地址，右邊為具體內容。各個暫存器的最高位都是1，最低位都是“RD/W”，比如要讀秒暫存器則命令為1000 0101，反之寫為1000 0100，要注意其含義。（圖片不是很清楚，看不清楚的朋友用軟體放大）我們一個一個看：
SEC:秒暫存器，注意具體右邊內容：低四位為SEC,高的次三位為10SEC。最高位CH為DS1302的執行標誌，當CH=0時，DS1302內部時鐘執行，反之CH=1時停止；
MIN：分暫存器；
HR:時暫存器，最高位為12/24小時的格式選擇位，該位為1時表示12小時格式。當設定為12小時顯示格式時，第5位的高電平表示下午（PM）；而當設定為24小時格式時，第5位位具體的時間資料。
DATE：日暫存器；
MONTH：月暫存器；
DAY：周暫存器，注意一週只有7天，所以該暫存器只有低三位有效；
YEAR：年暫存器；
CONTROL：防寫暫存器，當該暫存器最高位WP為1時，DS1302只讀不寫，所以要在往DS1302寫資料之前確保WP為0；
TRICKLE CHARGE REGISTER：涓細電流充電設定暫存器，我們知道，當DS1302掉電時，可以馬上呼叫外部電源保護時間資料。該暫存器就是配置備用電源的充電選項的。其中高四位（4個TCS）只有在1010的情況下才能使用充電選項；低四位的情況，與DS1302內部電路有關，有點意思，下文詳細講述。
CLOCK BURST：批量讀寫操作設定暫存器，設定該暫存器後，可以對DS1302的各個暫存器進行連續寫入。DS1302的另外一種讀寫方式。筆者還沒用過，感興趣的朋友可以嘗試。
最後還有一點，前文說過，DS1302有31個位元組的儲存空間，但是大家要看到的是，這31個儲存空間，最後一個是RAM BURST的暫存器，設定該暫存器可以達到對RAM連續讀寫的作用。所以DS1302的可用儲存空間實際上為30個位元組。
現在我們來看看DS1302的涓細電流充電的設定：
以下來自英文原版PDF：
The trickle charge select (TCS) bits (bits4 -7) control the selection of the trickle charger. In order to prevent accidental enabling, only a pattern of 1010 will enable the trickle charger
SEC:秒暫存器，注意具體右邊內容：低四位為SEC,高的次三位為10SEC。最高位CH為DS1302的執行標誌，當CH=0時，DS1302內部時鐘執行，反之CH=1時停止；
MIN：分暫存器；
HR:時暫存器，最高位為12/24小時的格式選擇位，該位為1時表示12小時格式。當設定為12小時顯示格式時，第5位的高電平表示下午（PM）；而當設定為24小時格式時，第5位位具體的時間資料。
DATE：日暫存器；
MONTH：月暫存器；
DAY：周暫存器，注意一週只有7天，所以該暫存器只有低三位有效；
YEAR：年暫存器；
CONTROL：防寫暫存器，當該暫存器最高位WP為1時，DS1302只讀不寫，所以要在往DS1302寫資料之前確保WP為0；
TRICKLE CHARGE REGISTER：涓細電流充電設定暫存器，我們知道，當DS1302掉電時，可以馬上呼叫外部電源保護時間資料。該暫存器就是配置備用電源的充電選項的。其中高四位（4個TCS）只有在1010的情況下才能使用充電選項；低四位的情況，與DS1302內部電路有關，有點意思，下文詳細講述。
CLOCK BURST：批量讀寫操作設定暫存器，設定該暫存器後，可以對DS1302的各個暫存器進行連續寫入。DS1302的另外一種讀寫方式。筆者還沒用過，感興趣的朋友可以嘗試。
最後還有一點，前文說過，DS1302有31個位元組的儲存空間，但是大家要看到的是，這31個儲存空間，最後一個是RAM BURST的暫存器，設定該暫存器可以達到對RAM連續讀寫的作用。所以DS1302的可用儲存空間實際上為30個位元組。
現在我們來看看DS1302的涓細電流充電的設定：
以下來自英文原版PDF：
The trickle charge select (TCS) bits (bits4 -7) control the selection of the trickle charger. In order to prevent accidental enabling, only a pattern of 1010 will enable the trickle charger