在NAND Flash中有8個I/O引腳（IO0—IO7）、5個全能訊號（nWE ALE CLE nCE nRE）、一個引腳，1個防寫引腳。操作NAND Flash時，先傳輸命令，然後傳輸地址，最後讀寫資料。對於64MB的NAND Flash，需要一個26位的地址。只能8個I/O引腳充當地址、資料、命令的複用埠，所以每次傳地址只能傳8位。這樣就需要4個地址序列。因此讀寫一次nand flash需要傳送4次（A[7:0] A[16:9] A[24:17] A[25]）。64M的NAND Flash的地址範圍為0x00000000—0x03FFFFFF。128M的NAND Flash的地址範圍為0x00000000---0x07FFFFFF。1KB = 0x000-0x3FF.128位元組=0x00H--7FH。

    一頁有528個位元組，而在前512B中存放著使用者的資料。在後面的16位元組中（OOB）中存放著執行命令後的狀態資訊。主要是ECC校驗的標識。列地址A0-A7可以定址的範圍是256個位元組，要定址528位元組的話，將一頁分為了A.（1half array）B(2 half array) C(spare array)。A區0—255位元組，B區 256-511 位元組C區512—527位元組。訪問某頁時必須選定特定的區。這可以使地址指標指向特定的區實現。

在NAND Flash 中存在三類地址，分別為Block Address 、Column Address Page Address.。（實際就是塊地址和頁地址）

    Column Address 用來選擇是在上半頁定址還是在下半頁定址A[0]—A[7].也就相當於頁內的偏移地址。在進行擦除時不需要列地址，因為擦除是以塊為單位擦除。32個Page需要5bit來表示。也就是A[13:9];也就是頁在塊內的相對地址。A8這一位用來設定512位元組的上半頁，還是下半頁，1表示是在上半頁，而2表示是在下半頁。Block的地址有A[25:14]組成.

    一個容量為64M(512Mbit)的NAND Flash,分為131072頁，528列。（實際中由於存在spare area,故都大於這個值），有4096塊，需要12bit來表示即A[25:14].如果是128M（1Gbit）的話，blodk Address為A[26:14].由於地址只能在IO0—IO7上傳送。程式設計時通常通過移位來實現地址的傳送。傳送過程如下：

第1個地址序列：傳遞column address，也就是NAND Flash[7:0],這一週期不需要移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而half page pointer 即A8是由操作指令決定，00h，在A區，01h在B區，指令決定在哪個half page上進行讀寫，而真正A8的值是不需要程式設計師關心的；

第2個地址序列：就是將NAND_ADDR 右移9位，而不是8位，將NAND_ADDR[16:9]傳遞到I/O[7:0]上；

第3個地址序列：將NAND_ADDR[24:17] 傳遞到I/O[7:0]上；

第4個地址序列：將NAND_ADDR[25]傳送到I/O上。

    整個地址的傳送過程需要4步才能完成。如果NAND Flash 的大小是32MB的以下的話，那麼block address 最高位只到bit24,因此定址只需要3步，就可以完成。

在進行擦除操作時由於是以塊進行擦除，所以只需要3個地址序列，也就是隻傳遞塊的地址，即A[14:25]。

NAND Flash地址的計算：

Column Address 翻譯過來是列地址，也就是在一頁裡的偏移地址。其實是指定Page上的某個Byte，指定這個Byte，其實也就是指定此頁的讀寫起始地址。

      Page Address:頁地址。頁的地址總是以512Bytes對齊的，所以它的低9位問題0，確定讀寫操作在NAND Flash中的哪個頁進行。

    當我們得到一個Nand Flash地址addr時，我們可以這樣分解出Column Address和Page Address。

Columnaddr = addr % 512   // column address

Pageaddr = addr>>9           // page address

實際上A0~A7是頁內地址，比如從第2個開始讀起。不過一般都從0開始讀起，呵呵。

也就是一個Nand Flash地址的A0-A7是它的column address ,A9—A25是它的Page Address，地址A8被忽略。

現在假設我要從Nand Flash中的第5000位元組處開始讀取1024個位元組到記憶體的0x30000000處，我們這樣呼叫read函式

NF_Read(5000, 0x30000000,1024);

我們來分析5000這個src_addr.

根據：

column_addr=src_addr%512;

page_address=(src_addr>>9);

我們可得出column_addr=5000%512=392

page_address=(5000>>9)=9

於是我們可以知道5000這個地址是在第9頁的第392個位元組處，於是我們的NF_read函式將這樣傳送命令和引數

column_addr=5000%512;

page_address=(5000>>9);

NF_CMD=0x01; //要從2nd half開始讀取 所以要傳送命令0x01

NF_ADDR= column_addr &0xff; //1st Cycle A[7:0]

NF_ADDR=page_address& 0xff

NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff; //3rd.Cycle A[24:17]

NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff; //4th.Cycle A[25]

    向NandFlash的命令暫存器和地址暫存器傳送完以上命令和引數之後,我們就可以從rNFDATA暫存器(NandFlash資料暫存器)讀取資料了.

我用下面的程式碼進行資料的讀取.

for(i=column_addr;i<512;i++)

*buf++=NF_RDDATA();

每當讀取完一個Page之後,資料指標會落在下一個Page的0號Column(0號Byte).

//========================下面是另外一篇，差不多=====================

http://blog.csdn.net/intint/archive/2009/10/13/4664659.aspx

一、NAND flash的物理組成
NAND Flash 的資料是以bit的方式儲存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能儲存一個bit。這些cell 以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page，(NAND Flash 有多種結構，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32個page形成一個Block(32*528B)。具體一片flash上有多少個Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個block，故總容量為4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用來儲存ECC校驗碼等額外資料的，故實際中可使用的為64MB。
NAND flash以頁為單位讀寫資料，而以塊為單位擦除資料。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位
Page Address ：頁地址
Block Address ：塊地址
對於NAND Flash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，資料寬度是8位。

二、NAND Flash地址的表示
512byte需要9bit來表示，對於528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的訪問由地址指標命令來選擇，A[7:0]就是所謂的column address（列地址），在進行擦除操作時不需要它，why？因為以塊為單位擦除。32個page需要5bit來表示，佔用A[13:9]，即該page在塊內的相對地址。A8這一位地址被用來設定512byte的1st half page還是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit來表示。
例如64MB（512Mb）的NAND flash（實際中由於存在spare area,故都大於這個值），共4096block，因此，需要12個bit來表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，則block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示為： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由於地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須採用移位的方式進行。 例如，對於512Mbit x8的NAND flash，地址範圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個範圍內的數值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 為例：
第1 步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個halfpage 上進行讀
寫，而真正的A8 的值是不需程式設計師關心的。
第2 步就是將NAND_ADDR 右移9位，將NAND_ADDR[16:9]傳到I/O[7:0]上；
第3 步將NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；
第4步需要將NAND_ADDR[25]放到I/O上；
因此，整個地址傳遞過程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那麼，block adress最高位只到bit24，因此定址只需要3步。
下面，就x16 的NAND flash 器件稍微進行一下說明。 由於一個page 的main area 的容量為256word，仍相當於512byte。但是，這個時候沒有所謂的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就變得沒有意義了，也就是這個時候 A8 完全不用管，地址傳遞仍然和x8 器件相同。除了，這一點之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。