RAM（Random AccessMemory）的全名為隨機存取記憶體，它相當於PC機上的移動儲存，用來儲存和儲存資料的。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為作業系統或其他正在執行程式的臨時儲存介質（可稱作系統記憶體）。 　　不過，當電源關閉時RAM不能保留資料，如果需要儲存資料，就必須把它們寫入到一個長期的儲存器中（例如硬碟）。正因為如此，有時也將RAM稱作“可變儲存器”。RAM記憶體可以進一步分為靜態RAM（SRAM）和動態記憶體（DRAM）兩大類。DRAM由於具有較低的單位容量價格，所以被大量的採用作為系統的主記憶。 ROM（Read OnlyMemory）的全名為唯讀記憶體，它相當於PC機上的硬碟，用來儲存和儲存資料。ROM資料不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留資料。但是資料一但寫入後只能用特殊方法或根本無法更改，因此ROM常在嵌入式系統中擔任存放作業系統的用途。現在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。 　　RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後儲存在上面的資料會自動消失，而ROM就不會。 　　由於ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當麻煩，因此就有了Flash Memory的發展 ，FlashMemory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時候任意更改資料 ，不過單價也比普通的ROM要高。 　　SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。動態RAM（DynamicRAM/DRAM）保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機記憶體就是DRAM的。       DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裡介紹其中的一種DDR RAM。 　　DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDRSDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種記憶體標準－RambusDRAM。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速DDR RAM來提高頻寬，這可以大幅度提高3D加速卡的畫素渲染能力。 　　記憶體工作原理：記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即DRAM），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入DRAM後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要一個額外設電路進行記憶體重新整理操作。 　　具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。 　　ROM也有很多種，PROM是可程式設計的ROM，PROM和EPROM（可擦除可程式設計ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。 　　舉個例子，手機軟體一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄儲存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。 　　FLASH儲存器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（EEPROM）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），U盤和MP3裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的儲存裝置，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作儲存Bootloader以及作業系統或者程式程式碼或者直接當硬碟使用（U盤）。 　　目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在NORFLASH裡面的程式碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。NANDFlash沒有采取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。使用者不能直接執行NANDFlash上的程式碼，因此許多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還用了一塊小的NORFlash來執行啟動程式碼。 　　一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk OnChip）和我們通常用的"閃盤"，可以線上擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生產NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba及Hynix。 　　現在的微控制器,RAM主要是做執行時資料儲存器,FLASH主要是程式儲存器,EEPROM主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料. 　　另外，一些變數，都是放到RAM裡的，一些初始化資料比如液晶要顯示的內容介面，都是放到FLASH區裡的（也就是以前說的ROM區），EEPROM可用可不用，主要是存一些執行中的資料，掉電後且不丟失 　　SRAM、SDRAM都用於程式工作時儲存臨時資料和程式，因為在系統調電後，儲存在其中的資料都會丟失。 　　FLASH用於系統中儲存長期的資料，如：配置資訊，程式等。 　　由於SRAM介面電路簡單，在小系統中常用，SDRAM的介面相對複雜，需要相應的控制器支援，但由於容量大、價格便宜、訪問速度快，所以常用在對記憶體容量和處理速度要求高的應用場合，在這種場合中，相應的處理器（CPU）都自帶有SDRAM控制器。 　　DRAM是動態儲存器(DynamicRAM)的縮寫SDRAM是英文SynchronousDRAM的縮寫，譯成中文就是同步動態儲存器的意思。從技術角度上講，同步動態儲存器(SDRAM)是在現有的標準動態儲存器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，且也需時鐘進行重新整理。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns

下面是常用概念的定義：
 1、DRAM DRAM（Dynamic RAM）:　動態隨機儲存器。

 2、SDRAM SDRAM（SynchronousDRAM）:　同步動態隨機儲存器。目前的168線64bit頻寬記憶體基本上都採用SDRAM晶片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO記憶體最快為15ns。並將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間。所以其傳輸速率比EDODRAM更快。

3、DDR SDRAM DDR（Double DataRate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基礎上，但在速度上有了提高。SDRAM僅在時鐘訊號的上升沿讀取資料，而DDR在時鐘訊號的上升沿和下降沿都讀取資料，因此，它的速度是標準SDRAM的2倍。   4、RDRAM RDRAM（RambusDRAM）：匯流排式動態隨機儲存器，是由RAMBUS公司與INTEL公司合作提出的一項專利技術，它的資料傳輸率最高可達800MHZ，而它的匯流排寬度卻僅為16bit，遠遠小於現在的SDRAM的64bit。  5、SPD SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM（ElectricallyErasable Programmable ROM 電可擦寫可程式設計只讀儲存器）,容量為256位元組，裡面主要儲存了該記憶體的相關資料，如容量、晶片廠商、記憶體模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由記憶體模組製造商寫入。支援SPD的主機板在啟動時自動檢測SPD中的資料，並以此設定記憶體的工作引數。