STM32內部FLASH打包讀寫
最近做到的項目在運行需要把一組uint8_t(unsigned char)的數據進行掉電儲存,想到單片機STM32f030f4p6內部flash可以直接由程序操作,寫了以下代碼用於uint8_t數據打包保存和讀取。
1、程序清單 與 測試結果
本程序包含5個文件,分別是:
1、Flash.c:內部flash讀取儲存相關函數
2、Flash.h:flash頭文件
3、USART1.c:STM32F030F4P6的串口驅動,串口僅用於打印數據觀察。
4、USART1.h:串口頭文件
5、main.c:防止程序主入口
1、Flash.c
View Code2、Flash.h
3、USART1.c
View Code4、USART1.h
View Code5、main.c
View Code測試結果:
第54-199省略..
2、程序詳解
2.1、內存結構:
STM32F0xx的flash結構如下:最多具有64頁,每頁1KByte大小。
我使用的STM32F030F4P6 flash區域有16K,所以實際上只有0-15頁,本程序中把需要保存的數據數據存放在最後一頁(第15頁)中。
2.2、定義數據包結構
為了保證儲存和讀出flash的數據是正確的,本程序將寫入flash數據分為3個區域
- 報頭區:寫入數據的時候,將第15頁的第1、2字節寫入0xaa55,在讀出的時候如果此位置不是0xaa55,則表示這段數據數據無效,不是由自己存入的數據或者程序出現了異常;
- 長度:寫入數據的時候,第15頁的第3、4字節寫入有效數據的長度,讀出這個字段,就知道上次自己一共存入了多少數據;
- 數據段:從第15頁的第5字節開始,全部字節(1020byte)用於儲存uint8_t類型的數據;
2.3、寫操作
寫操作有如下步驟:
- 保護:由於我們只有1Kbyte空間,出去4個字節的報頭和長度,實際只能存儲1020個u8類型,寫太多返回失敗。
- 解flash鎖
- 頁擦除
- 寫入數據包
- 上鎖
/******************************************************************************* * Function Name : Flash_eeprom_WriteWithPacked * Description : Write a group of datas to flash. * Input : buff:pointer of first data, length: write length * Output : * Return : true/false *******************************************************************************/ bool writeMessageToFlash( uint8_t *buff , uint16_t length) { uint16_t temp; int i; /*Protection*/ if( (length+4) > STM32F0xx_PAGE_SIZE ) { return false; } FLASH_Unlock( ); /*Clear all flags*/ FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR ); /*Erase first . Do not rember.*/ if(FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR))//°üº¬Á˵ȴýbusy { return false; } /*Write head*/ FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR, EEPPROM_PACKAGEHEAD ); /*Write length*/ FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+2 , length ); /*Write datas*/ for(i=0 ;i<length/2 ;i++) { temp = buff[2*i]|(uint16_t)buff[2*i+1]<<8; FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+2*i , temp); } if( isItOddNumber(length) )//Write one more if length is odd number. { temp = (uint16_t)buff[length-1]; FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+(length-1) , temp); } /*Read out and check*/ for(i=0 ;i<length ;i++) { if( *(uint8_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+i) != buff[i] ) { FLASH_Lock(); return false; } } FLASH_Lock(); return true; }
2.3.1、解鎖操作:
用戶手冊描述如下:
在(芯片)重置過後,為了防止多余的擦寫操作flash會被保護。除了OBL_LAUNCH位用於重載option bit,FLASH_CR寄存器的其他部分都不可以訪問。
需要把以下兩個解鎖序列寫入FLASH_KEY寄存器,才能訪問FLASH_CR:
- 0x45670123
- 0xCDEF89AB
檢索官方庫定位FLASH_Unlock()這個函數,它的底層實現與文檔描述相符,另外增加了防止重復解鎖的操作,直接使用FLASH_Unlock()這個函數即可以完成解鎖。
2.3.2、頁擦除
用戶手冊描述如下:
1、通過檢查FLASH_SR寄存器的BSY位來確認flash沒有使用
2、把FLASH_CR寄存器的PER位置SET
3、通過編寫FLASH_AR寄存器來確認要擦除的頁
4、將FLASH_CR寄存器的STRT位置SET
5、等待BSY位rst
6、檢查FLASH_SR寄存器中的EOP標記(成功會置SET)(流程圖沒有、庫函數沒檢查)
7、清除EOP標記(流程圖沒有、庫函數沒清除)
檢索官方庫定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)這個函數,它的底層實現與文檔流程圖描述相符,值得註意的是,手冊描述中6、7步並沒有出現在手冊的流程圖和庫函數中(庫版本V1.2.0)。但在使用中沒有出現問題,這裏先記錄看以後使用中會不會出現問題
2.3.3、往flash中寫入數據
用戶手冊描述如下
1、通過檢查FLASH_SR寄存器的BSY位來確認flash沒有使用
2、設置FLASH_CR寄存器的PG位
3、在目標地址上寫入半個word的數據
4、等BSY位reset
5、檢查FLASH_SR寄存器的EOP標記(SET表示成功)(流程圖沒有出現、庫函數中沒檢查)
檢索官方庫定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)這個函數,它的底層實現與文檔流程圖描述相符,同樣地,庫函數沒有檢查第五步的EOP標記
2.3.4、上鎖操作
根據手冊提示,定位到庫函數void FLASH_Lock(void)。只要置位LOCK位就上鎖了。
2.4、讀操作
程序如下
/******************************************************************************* * Function Name : readPackedMessageFromFlash * Description : Read packed message form flash * Input : buff:point to first location of received buffer.length:Maxmum length of reception * Output : * Return : reception length *******************************************************************************/ uint16_t readPackedMessageFromFlash( uint8_t *buff , uint16_t length) { int i; uint16_t getLength; if( !doseFlashHasPackedMessage() ) return 0; /*Get valuable length*/ getLength = getValuablePackedMessageLengthofFlash(); /*Read out message*/ for(i=0;i<MIN(getLength,length);i++) { buff[i]= *(uint8_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+i); } return MIN(getLength,length); }
根據用戶手冊提示,讀操作是可以直接取址的,所以讀操作實際只有如下一句只要用uint8_t類型取出目標地址再取值就可以了。
但是,我們的數據是打包的(詳見2.2),所以還需要:
1、根據報頭判斷是不是有效數據
2、根據長度判斷要讀取多少數據
3、最後才是讀出數據
2.4.1、判斷數據有效性:
我們通過報頭來判斷數據是不是自己寫入的。
也就是判斷flash第15頁的第1、2個字節是不是0xaa55,如果不是,那這段數據是無效的。
另外再判斷一下長度字段,如果長度等於0,也就是後面沒有數據,那這段數據也是無效的。
/******************************************************************************* * Function Name : doseFlashHasPackedMessage * Description : Does flash has packed messages * Input : None * Output : * Return : ture/false *******************************************************************************/ bool doseFlashHasPackedMessage(void) { uint16_t length; uint16_t getHead; /*Is head matched*/ getHead = (uint16_t)(*(uint16_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR )); if( EEPPROM_PACKAGEHEAD != getHead ) { return false; } /*Is length zero*/ length = (*(uint16_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+2)); if( 0 == length) { return false; } return true; }
2.4.2、根據長度讀出數據:
在讀Flash程序中,getLength是從flash中讀出的長度,length是我們指定的最大讀取長度。如果getLength大於我們指定讀取長度,很可能會造成溢出,所以兩者取小的一個防止溢出。
STM32內部FLASH打包讀寫