本篇為學習筆記

概述

本篇主要是MOOC 中袁春風老師計算機基礎課程中關於內存課程的總結，本篇以課件為主要內容介紹關於內存的基本知識。總體內容目錄:

課程內容

存儲器基本概念

回顧程序執行過程，重要的環節就是 ：取指，取數，存數。這幾個主要的對應的內存操作的讀寫。

幾個基本術語需要記一下，字節編址就是第一張圖一樣，每一個地址一個字節。

存儲器分類，註意隨機存取存儲器RAM，讀寫時間不和位置相關。

主存的基本結構

可以看到CPU 與主存之間主要連接三根線 : 數據線 ， 地址線， 控制線

每個地址對應一個字節。

內存儲器的分類和應用，簡單的分類，RAM 中的 SRAM 用作Cache ， DRAM 用作主存儲器 ； 只讀存儲器 ROM 用作 BLOS

內存與外存的關系

主存的性能指標

主存按字節編址，性能指標主要是存取時間和存儲周期。

時間和存儲容量單位，存儲容量是後面的2 的幾次方，前面的是存儲容量10 的幾次方 。

以1M寬帶為例，按照換算公式換算一下：1Mb/s=1024*1024b/s=1024Kb/s=1024/8KB/s=128KB/s

理論上：2M（即2Mb/s）寬帶理論速率是：256KB/s，實際速率大約為150~240KB/s；（其原因是受用戶計算機性能、網絡設備質量、資源使用情況、網絡高峰期、網站服務能力、線路衰耗，信號衰減等多因素的影響而造成的）。

4M（即4Mb/s）的寬帶理論速率是：512KB/s，實際速率大約為200~440KB/s 。（出處:百度百科）

半導體存儲器組織

SDRAM 和 DRAM 的重要區別。

主存模塊的連接與讀寫操作

理解內存的讀取過程，可以通過以下的例子來理解 ：

註意的是上圖每個chip中有多個位平平面，例如我們選中的第0行，第0列，上圖例子共16 個chip ，我們返回的數據就只是每個chip第0行第0列的那8位數據，共返回64位數據，而返回的行就是行緩沖，使用的儲存是 SRAM . 下圖是一行被選中的情況，綠色的塊是需要返回的數據，還有相同的15 個chip ，綠色格數據有重疊的8個平面。

再來看另外一個例子。

這稱作交叉編址，為的是同時讀寫所有芯片。

宏觀讀寫內存操作

可以看到行緩沖和實際讀取的數據。下面是兩條指令涉及內存操作的過程。

總結

• 解內存種類和區別，知道 SRAM 和 DRAM
• 內存讀取和寫入的過程，行緩沖 （行緩沖和內存相關性）

參考資料

• MOOC 袁春風老師課程

計算機操作系統 --- 內存