MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效電晶體分為結型場效電晶體（JFET）和絕緣柵場效電晶體（MOS管）兩大類。
　　場效電晶體的使用注意事項：
　　（1）為了安全使用處效應管，線上路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等引數的極限值。
　　（2）各型別場效電晶體在使用時，都要嚴厲按要求的偏置接人電路中，要遵照場效電晶體偏置的極性。如結型場效電晶體柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。
　　（3）MOS場效電晶體由於輸人阻抗極高，所以在運輸、儲藏中必須將引出腳短路，要用金屬遮蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效電晶體放人塑料盒子內，保留時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。
　　（4）為了預防場效電晶體柵極感應擊穿，請求所有測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路自身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全體引線端保持相互短接狀況，焊接完後才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以恰當的方法確保人體接地如採取接地環等；當然，如果能採用進步的氣熱型電烙鐵，焊接場效電晶體是比擬方便的，並且確保平安；在未關斷電源時，相對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上保險辦法在應用場效電晶體時必需注意。
　　（5）在裝置場效電晶體時，注意安裝的位置要儘量防止湊近發燒元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在曲折時，應該大於根部尺寸５毫米處進行，以避免彎斷管腳和引起漏氣等。對於功率型場效電晶體，要有良好的散熱條件。因為功率型場效電晶體在高負荷前提下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定牢靠地工作。總之，確保場效電晶體安全使用，要注意的事項是多種多樣，採取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技巧職員，特殊是寬大的電子喜好者，都要根據本人的實際情況動身，採用切實可行的措施，安全有效地用