解密美光最新 1α記憶體工藝:效能提升 40%,與三星掰手腕
美光本週二公佈其用於 DRAM 的 1α新工藝,該技術有望將 DRAM 位密度提升 40%,功耗降低 15%。
1α工藝最初被用於生產 DDR4 和 LPDDR4 記憶體,未來或將覆蓋美光所有型別的 DRAM。
同時,美光提到要實現 DRAM 的規模化仍很困難。鑑於 EUV 技術帶來的效能優化還無法抵消裝置成本和生產困難,美光近期不打算引入 EUV 光刻技術,考慮在未來的 1
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