3 月 5 日訊息合肥產投集團官微今日發文《潮起正是揚帆時——合肥產投集團成立六週年發展紀實》，透露了合肥長鑫國產記憶體的產能情況。

官方表示，瞄準產業發展中高階環節，全力推進長鑫專案實現突破性進展，增強產業鏈自主可控能力，成為打造世界一流儲存產業叢集的重要底氣，以長鑫專案、中國聲谷專案、中歐班列等重大專案為抓手，進行 “補鏈、延鏈、強鏈”，激發產業 “鏈”式效應、實現產業集聚發展。

據悉，截至 2020 年底，合肥長鑫 12 英寸儲存器晶圓製造基地專案提前達到預期產能，實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。也就是說，合肥長鑫 12 英寸儲存器晶圓製造基地專案已在去年年底提前達到 4 萬片/月產能，現已啟動 6 萬片/月產能建設目標

瞭解到，合肥長鑫是國產晶片的代表企業，主要從事動態隨機存取儲存晶片 (DRAM)的設計、研發、生產和銷售工作。

據公開資料，長鑫儲存目前已建成第一座 12 英寸晶圓廠並投產，擁有 19 奈米（1X 奈米）的工藝製程能力，是規模最大、技術最先進的中國大陸 DRAM 設計製造一體化企業。

據悉，長鑫已經在 2019 年完成了首顆國產 19nm 工藝的 DDR4、LPDDR4 記憶體研發量產，目前旗下產品已經用在了多家國產廠商的記憶體中，該公司也是全球第四家 DRAM 產品採用 20nm 以下工藝的廠商。

從長鑫的規劃日程來看，預計長鑫將於 2021 年完成 17nm 的工藝研發，並進一步加速向 DDR5 DRAM 產品研發邁進。

值得一提的是，曾報道，安徽省經濟和資訊化廳去年印發了《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》。《方案》要求實現中高階移動、平板及消費類產品 DRAM 儲存晶片的自主可控；研發出更先進的 LPDDR5 並實現產業化；14/15nm 工藝研發等。此次官方的 DRAM 發展任務顯然是落在了長鑫頭上，而官方為企業指定的計劃時間是 2-3 年，但根據長鑫此前的路線圖，長鑫早已開始研發下一代 DDR5/LPDDR5 記憶體等工藝技術，預計長鑫有望三年內攻堅 LPDDR5 記憶體。