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比亞迪半導體:西安研發中心即將啟用,計劃釋出全新 IGBT6.0 晶片

5 月 15 日訊息 從比亞迪半導體獲悉,比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產製造基地,分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。

其中,位於西安的半導體研發中心,將配備近千人的研發團隊,是比亞迪半導體的全新研發基地。

比亞迪半導體表示,將充分利用西安在積體電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源,主要從事功率半導體、智慧感測器、智慧控制 IC 等半導體產品的設計及服務。

獲悉,繼 2018 年在寧波釋出 IGBT4.0 晶片技術後,比亞迪半導體已打磨出一款更高效能的 IGBT6.0 晶片,並計劃於比亞迪半導體西安研發中心全新發布。

自 2002 年進入半導體領域以來,比亞迪半導體在 2009 年推出國內首款自主研發的 IGBT 晶片,2018 年推出 IGBT4.0 晶片。比亞迪半導體資料顯示,截止 2020 年底,以 IGBT 為主的車規級功率器件累計裝車超過 100 萬輛,單車行駛里程超過 100 萬公里。

比亞迪半導體透露,IGBT6.0 晶片採用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術,相較同類產品在可靠性及產品效能上將實現重大突破。