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ASML 將於今年推出透光率超 90% 的 EUV 防護膜,提高光刻機效率

5 月 15 日訊息目前最前沿的手機、電腦晶片多使用 EUV 極紫外光進行刻蝕,但是這種光線難以被反射和折射,製造過程中損耗率非常大。根據外媒 TheElec 訊息,ASML 將於今年開始為光刻機提供新型 EUV 防護膜,透光率可達 90.6%,目前即將開始生產。

外媒表示,此種防護膜主要用於安裝在 EUV 光路和晶圓製造空間之間,用於防塵。此前的防護膜透光率僅有 78%,然而一片的價格高達 26000 美元(約 16.74 萬元人民幣)。三星和臺積電目前為了生產效率,沒有使用這種防護膜,儘管這會提高晶圓表面被汙染的風險。這兩家代工廠此前表示,他們需要透光率超過 90% 的防護膜,才會考慮應用到生產線上。

瞭解到,ASML 宣佈此款 EUV 防護膜能夠承受 400W 的功率,將由日本廠商三井化學制造。