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華為公開晶片相關專利,可提升晶片散熱能力

7 月 13 日訊息今日,華為技術有限公司公開“晶片、晶片的製造方法和電子裝置”專利,公開號為 CN113113367A。

企查查專利摘要顯示,本申請屬於晶片散熱技術領域,採用本申請,通過在相鄰兩個矽片之間安裝導熱片,可以將矽片上的熱量傳導至導熱片上,降低矽片上的溫度,提升晶片的散熱能力,進而可以避免大量的熱量在矽片上聚積而出現晶片燒壞的情況

瞭解到,該專利所述晶片包括殼體、多個矽片和多個導熱片,其中:

  • 所述多個矽片和所述多個導熱片堆疊安裝在所述殼體中;

  • 相鄰兩個所述矽片之間安裝有所述導熱片,所述導熱片的邊緣伸出於相鄰兩個所述矽片之間的間隙。