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上海微電子新型光刻機專利曝光,可提高光刻機的解析度

近日上海微電子舉行新產品釋出會,宣佈推出新一代大視場高解析度先進封裝光刻機。目前,上微已與多家客戶達成新一代先進封裝光刻機銷售協議,首臺將於年內交付。

光學光刻是一種用光將掩模圖案投影複製的技術,積體電路就是由投影曝光裝置製成的,將具有不同掩模圖案的圖形成像至基底上,製造積體電路、薄膜磁頭、液晶顯示板,或微機電等一系列結構。過去數十年曝光裝置技術水平不斷髮展,滿足了更小線條尺寸,更大曝光面積,更高可靠性及產率,以及更低成本的需求。然而現有的光刻投影物鏡依舊存在諸如數值孔徑較小、解析度低、適用波段窄、數值孔徑不可變和非球面透鏡加工製造成本高等問題。

為此,上海微電子於 2018 年 12 月 30 日申請了一項名為“一種光刻投影物鏡及光刻機”的發明專利(申請號: 201811648523.1),申請人為上海微電子裝備 (集團) 股份有限公司。

▲圖 1 光刻投影物鏡結構示意圖

圖 1 為本發明提出的光刻投影物鏡的結構示意圖,包括第一透鏡組、第二透鏡組和第三透鏡組,以及與以上透鏡組關於光闌對稱設定的第四透鏡組、第五透鏡組和第六透鏡組。通過調節光闌的通光孔的大小可以調節光刻投影物鏡的數值孔徑,從而增加光刻投影物鏡適用於不同場景的能力。且各透鏡組的焦距設定能夠增大光刻投影物鏡的數值孔徑,提升光刻投影物鏡的解析度

第一透鏡組 G1、第三透鏡組 G3、第四透鏡組 G4 以及第六透鏡組 G6 具有正的光焦度,第二透鏡組 G2 以及第五透鏡組 G5 具有負的光焦度。光焦度等於像方光束會聚度與物方光束會聚度之差,它表徵光學系統偏折光線的能力。光焦度的絕對值越大,對光線的彎折能力越強,反之對光線的彎折能力越弱。光焦度為正數時,光線的屈折是匯聚性的,反之則是是發散性的。光焦度可以適用於表徵一個透鏡的某一個折射面,或表徵某一個透鏡,也可以適用於表徵多個透鏡共同形成的系統。

各透鏡組以及光闌 STOP 中的所有的透鏡均為球面透鏡。球面透鏡是指從透鏡的中心到邊緣具有恆定的曲率,球面透鏡的兩個折射面均為球面,而非球面透鏡則是從中心到邊緣之曲率連續發生變化,因此球面透鏡相對於非球面透鏡而言更容易加工。本發明實施例中的透鏡全部採用球面透鏡,降低了光刻投影物鏡中透鏡的加工成本,縮短了透鏡的加工週期,提升了光刻投影物鏡的裝調效率。

簡而言之,上海微電子的光刻投影物鏡專利,通過採用球面透鏡設計,降低了加工製造成本,增大了數值孔徑,並且適用於 ghi 三線波段。擴充套件了投影物鏡的適用場景,提高了光刻機的解析度。